高通校准LOG说明.ppt

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1、高LOG明2013/11/10目录1.GSMRxCal:8502.GSMTxCSCal:DCS3.GSMTxCal:G850F14.WCDMATxRxCal:BC1本文档只说明GSM850和WCDMABC1,其他频段与这两个频段类似,在此不做说明。GSMRxCal:8501.以GSM850频带,GainMode0为例,其流程如下:Step1、综测仪(Agilent8960或CMU200)设置固定大小的Cellpower(-80dBm)Step2、分别记录8个Channel的RSSI值Step3、利用以下公式,计算每个Channel的G

2、ainRangeGainRange=16*(10*LOG(RSSI[i])-(-80dBm))其中[i]为Channel值。RxGainoffsrt值越趋于上下限的中心点越好,得到最优信噪比。GSMRxCal:850Step4、将其step3所计算的GainRange,填入下列NV:NV_GSM_RX_GAIN_RANGE_#_FREQ_COMP_[i]其中[i]为Channel值GSMTxCSCal:DCS1.零中频的架构,容易会有LOleakage(本振泄露)的现象.然而同样零中频架构,PolarModulation又比IQMod

3、ulation,更容易有LOleakage的现象,因此在GSMTX校准过程中,必须一开始就先针对CarrierSuppression作优化,否则会连带使接下来的讯号,都一并失真。高通RTR6285A,在GSMTX校准过程中,会做DCCalibration2.中频的架构原因只需对1800,1900进行此项测试,850,900不需要。3.整个过程包括三步:1)先固定Q值,计算出最佳的I值2)再固定I值计算出最佳的Q值3)根据第一第二步得出的最佳IQ值,得出最终最佳的CS值。GSMTxCal:G850F1高通的RTR6285A,在做Pola

4、rCalibration时,手机会先发射一个ContinuousWave给Agilent8960或CMU200作量测,接着Agilent8960或CMU200会将量测结果在传回手机,即PA的特性曲线。最开始一段使用DAC14500,目的是要触发用,与PA特性无关,因此手机内部在做线性化时,会先将其去掉;接下来,每段的waveform都会以DAC4500作下一段referencepoint(参考点);但是注意这些reference段会导致相位漂移。接下来手机内部会将回传之PA特性曲线切割分段,并利用反函数方式,找出各小段所需要Pre-d

5、istortion(失真)之补偿值,再在原来之PA特性曲线合成,完成线性化的动作GSMTxCal:G850F1扫频结束,扫出DAC值13955时发射功率达到最大值34.5118dB,满足大于31dB的要求。那么在DAC值13955时PA已经饱和(PA发射功率不再随DAC值的增大而增大),为什么还需要继续扫频到DAC值14295呢?这是因为在下面绘制PA的特性曲线时需要这部分数据。下图为根据上表绘制出的非线性,反函数,线性化的PA特性曲线。WCDMATxRxCal:BC14.1Tx线性校准Tx线性校准过程-11.设置手机模式WCDMA2

6、.设置PARange3.设置UE、综测仪工作于参考信道4.针对每一个PARange,确定其对应的最大输出功率maxpower5.改变PDM值使输出期望最大功率,并将此时的PDM记录为max_pdm6.调用FTM_TX_SWEEP_CAL命令,参数1:tx_sweep_pdm_start_pwr=max_pdm参数2:Tx_sweep_step_sizeTx线性校准过程-27.针对每一个PARange,生成PDM并写入NV8.从FTM_TX_SWEEP_CAL命令的返回值中,获得PDM表中每个PDM值对应的Tx功率电平值,写入NV9.从

7、PDM表和MASTER表中剔除非单调测试点WCDMATxRxCal:BC1下表为扫频表,XTT文件列出了每个Range扫频的PDM起始范围和功率要求。下表省略了部分PDM值WCDMATxRxCal:BC1根据上表得出每个Range的最大功率值和最小功率值,这两个值需要和上下限留有一定的余量(一般为>2dB),余量不足可能会导致产线生产时由于元件不一致性导致零界产生误测。WCDMATxRxCal:BC1按扫频表得出两分表:PDM表,MASTER表PDM表——存储PDM值,用来设置输出功率电平控制值MASTER表——存储PDM表中每个PD

8、M值所对应的Tx输出功率值每一个PAgainstate都有一套独立的线性表每个BAND只在参考信道下测试一套PDM和MASTER表Tx的线性校准过程就是创建两组校准数据表。PDM表和MASTER表这两组表建立起Tx_AG

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