《模拟多路开关》PPT课件

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1、3.3模拟多路开关3.3.2多路开关的工作原理及主要技术指标3.3.3多路开关集成芯片3.3.4多路开关的电路特性3.3.5多路开关的配置3.3.6模拟多路开关的应用3.3.1概述3.3.1概述多路开关：在多路被测信号共用一路A/D转换器的数据采集系统中，用来将多路被测信号分别传送到A/D转换器进行转换，以便计算机能对多路被测信号进行处理。四选一多路开关D0D1D2D3A1A2Y多路开关：机电式：用于大电流、高电压，低速切换场所；电子式：用于小电流、低电压，高速切换场所。类型：机电式：电子式：电子多路开关由于是一种集成化无触点开关，不仅寿命长、体积小

2、，而且对系统的干扰小。3.3.1概述多路开关：双极性晶体管开关电子多路开关根据结构可分为：BECNPNBECPNP场效应晶体管开关结型绝缘栅型(MOS)双极型晶体管3.3.1概述多路开关：集成电路开关双极性晶体管开关电子多路开关根据结构可分为：场效应晶体管开关结型绝缘栅型(MOS)3.3.1概述多路开关：集成电路开关双极性晶体管开关电子多路开关根据结构可分为：场效应晶体管开关结型绝缘栅型(MOS)3.3.1概述多路开关：集成电路开关GSDGSDGSDGSDN沟道耗尽型P沟道耗尽型N沟道增强型P沟道增强型绝缘栅型场效应管双极性晶体管开关电子多路开关根据

3、结构可分为：场效应晶体管开关结型绝缘栅型(MOS)3.3.1概述多路开关：集成电路开关PMOS和NMOS结合可以构成CMOS(互补对称MOS：ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorTransistor互补型金属氧化物半导体)CMOS型场效应管开关的优点：导通电阻RON随信号电压变化波动小；信号电压RONNMOSPMOSCMOS双极性晶体管开关电子多路开关根据结构可分为：场效应晶体管开关结型绝缘栅型(MOS)3.3.1概述多路开关：集成电路开关PMOS和NMOS结合可以构成CMOS(互补对称MOS：Compleme

4、ntaryMetal-Oxide-SemiconductorTransistor互补型金属氧化物半导体)CMOS型场效应管开关的优点：开关接通时间短，小于100ns；功耗低；工作电压范围宽抗干扰能力强温度稳定性能好易于和驱动电路集成双极性晶体管开关电子多路开关根据结构可分为：场效应晶体管开关结型绝缘栅型(MOS)3.3.1概述多路开关：集成电路开关集成电路开关是将场效应管、地址计数器、译码器及控制电路等集成制造在一块芯片上而构成的器件。特点：除了具有场效应管的特性之外，还具有体积小、使用方便等优点。3.3.2多路开关的工作原理及主要技术指标1.多路开

5、关工作原理双极型晶体管开关其工作原理如下：设选择第1路模拟信号。则令通道控制信号UC1=0，晶体管T1′截止，集电极为高电平，晶体管T1导通，输入信号电压Ui1被选中。+15V+15VT1T1T8T8...通道选择1通道选择8Ui1UC8UC1Ui8R11R2118R28RUo模拟信号1模拟信号8双极型晶体管开关电路VDD同理，当令通道控制信号UC2=0时，则选中第2路模拟信号，UO=Ui2。……3.3.2多路开关的工作原理及主要技术指标1.多路开关工作原理双极型晶体管开关+15V+15VT1T1T8T8...通道选择1通道选择8Ui1UC8UC1U

6、i8R11R2118R28RUo模拟信号1模拟信号8双极型晶体管开关电路VDD注意：在控制信号UC1～UC8中不能同时有两个或两个以上为0。优点：开关速度快。缺点：电流控制器件，功耗大，集成度低，一个方向传送信号。漏电流大，开路电阻小，导通电阻大。场效应管开关结型场效应管开关工作原理如下：设选择第1路信号。则令通道控制信号UC1=1，开关控制管T1′导通，集电极为低电平，场效应管T1导通，UO=Ui1。当UC1=0时，T1′截止，T1也截止，第1路输入信号被切断。3.3.2多路开关的工作原理及主要技术指标1.多路开关工作原理其他各路操作与第一路相同。

7、...T1T1T8T8Ui1Ui8UC1UC8通道选择1通道选择8UoR1828R11R21R结型场效应管多路开关VDDVDD场效应管开关结型场效应管开关3.3.2多路开关的工作原理及主要技术指标1.多路开关工作原理...T1T1T8T8Ui1Ui8UC1UC8通道选择1通道选择8UoR1828R11R21R结型场效应管多路开关VDDVDD优点：开关切换速度快，导通电阻小，可两个方向传送信号。缺点：为分立元件，需专门的电平转换电路驱动，使用不方便。场效应管开关绝缘栅场效应管开关3.3.2多路开关的工作原理及主要技术指标1.多路开关工作原理其工作原理与

8、结型场效应管多路开关类似。+4V+4V-20V-20VT1T1T8T8R11R21R18R28UoUi1UC