08生产实习报告

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1、长安大学生产实习报告院系：电控学院电子科学与技术系专业：电子科学与技术班级：32050801学号：3205080104学生姓名：匡春燕指导教师：肖剑张林李清华谷文萍一、实习目的通过生产实习，了解本专业的生产过程，巩固所学专业知识。了解半导体产业发展现状；熟悉半导体元器件和集成电路制造、测试技术；熟悉集成电路封装技术。二、实习时间2011年6月27日～2009年7月8日三、实习地点天水天光半导体有限责任公司、天水华天科技股份有限公司四、单位基本情况天光电子半导体有限责任公司是国家重点工程的配套生产研制单位，先后承担了亿次计算机，风云气象卫星，东方红3号，资

2、源卫星，“神舟”号飞船和其他重点工程和军事吸纳灌木的配套任务，提供了大量可靠的七专产品，以质量可靠，性能稳定而著称，主要生产肖特基二极管管芯，也生产少量集成电路，同时也在积极进行发光二极管的开发等先进项目。天水华天科技股份有限公司主要生产塑封集成电路、模拟集成电路、混合集成电路、DC/DC电源、集成压力传感器、变压器共五大类400多个品种。其中主导产品塑封集成电路年封装能力已达30亿块。公司产品以其优良的品质而被广泛应用于航天、航空、军事工程、电子信息和工业自动控制等领域。四、实习内容根据老师及企业的安排，我们于2011.6.28-2011.6.29在甘

3、肃天光电子半导体有限责任公司参观学习，在相关人员的带领下，我们知道了半导体工艺制造的流程以及测试封装的相关知识，同时了解该公司的一些技术设备及相关的杂质处理及生产用水的制备。2011.6.30-2011.7.1在天水华天科技股份有限公司参观学习，通过第一天相关知识的讲解，我们更加熟悉晶圆的制作流程以及封装的流程，测试的要求，还了解到压力传感器的制作流程以及电镀的相关知识。总的来说，通过这次的实习，对它们的工厂的参观，了解到以后我们工作的性质。而且我们学到一些知识，大致可以分为以下几个方面。1、芯片的制造过程及晶圆制作的工艺流程2、塑封集成电路封装3、工艺

4、中的相关测试4、压力传感器的制作流程5、电镀的相关知识6、对天光公司的了解通过他们的讲解以及查阅相关资料，整理成如下信息：§1芯片的制造过程及晶圆制作的工艺流程1.1晶圆制造的工艺流程晶圆的制造是纳单晶切膜抛光外延氧化光刻扩散的重复，然后进行金属化，后进行钝化，最后反刻，这一系列的工艺结合最终制成晶圆。其详细流程如下：1、表面清洗2、初次氧化3、CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层Si3N4(HotCVD或LPCVD)。（1）常压CVD(NormalPressureCVD)（2）低压CVD(LowPressureCVD)（3

5、）热CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）电浆增强CVD(PlasmaEnhancedCVD)（5）MOCVD(MetalOrganic  CVD)&分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy)（6）外延生长法(LPE)，淀积一层Si3N4。4、涂敷光刻胶（1）光刻胶的涂敷（2）预烘(prebake)（3）曝光（4）显影（5）后烘(postbake)（6）腐蚀(etching)（7）光刻胶的去除光刻也就是有选择的扩散。在光刻工艺中，要注意分辨力、清晰度以及套刻程度。5、此处用干法氧化法将氮化硅去除6、离子布植将硼离子(B+3)

6、透过SiO2膜注入衬底，形成P型阱7、去除光刻胶，放高温炉中进行退火处理8、用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5)离子，形成N型阱9、退火处理，然后用HF去除SiO2层10、干法氧化法生成一层SiO2层，然后LPCVD沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的SiO2层，形成PN之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位置的SiO2，并重新生成品质更好的SiO2薄膜,作为栅极氧化层。14、LPCVD沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，

7、并氧化生成SiO2保护层。15、表面涂敷光阻，去除P阱区的光阻，注入砷(As)离子，形成NMOS的源漏极。用同样的方法，在N阱区，注入B离子形成PMOS的源漏极。16、利用PECVD沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进行退火处理。17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、濺镀第一层金属（1）薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。（2）真空蒸发法（EvaporationDeposition）（3）溅镀（SputteringDeposition）19、光刻技术定出VIA孔洞，沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用PECVD法氧化层和氮化硅保护层

8、。20、光刻和离子刻蚀，定出PAD位置21、最后进行退火处理，以保证整个Chip