6H-SiC衬底上生长p-SiCGe薄膜的分析

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1、西安理工大学硕士学位论文flowrateinarangeof0．2to1seem，theywereidentifyasPtypebythehotprobemethodandHalleffectmeasurement，andtheirdopingconcentrationswereabout1020cnl．3．4．111eelectricalcharacteristicsofSiCGe／SiCpnheterojunctionweretestedandanalyzed．nepnheterojunctionhasarectificativecurrentvoltagecharacteristic

2、，anditscut—involtageis●一1．6Vwhenthecurrentdensityis0．03451A／cm2．111ecurrentdensityisonly0．02697A／cmzatareversevoltageof10Vanditjustincreasedto0．07792A／cm2whenreversevoltageis20V．Keywords：SiC：SiCGe；HWCVD；heteroepitaxyThisthesisisfinanciallysupportedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(Grant

3、No．6037601andNo．60576044)，theSpecializedResearchFundfortheDoctoralProgramofHigherEducationofChina(GrantNo．20040700001)andtheChinaPostdoctoralScienceFoundation(GrantNo．2007041137)．独创性声明秉承祖国优良道德传统和学校的严谨学风郑重申明：本人所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的成果。尽我所知，除特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人的研究成果。与我一同工作的同志对本文所研究的工作和成果的

4、任何贡献均已在论文中作了明确的说明并已致谢。本论文及其相关资料若有不实之处，由本人承担一切相关责任论文作者签名：奎缢一厕年3月2西日学位论文使用授权声明死＼，●本人一．刍=凭在导师的指导下创作完成毕业论文。本人已通过论文的答辩，并已经在西安理工大学申请博士／硕士学位。本人作为学位论文著作权拥有者，同意授权西安理工大学拥有学位论文的部分使用权，即：1)已获学位的研究生按学校规定提交印刷版和电子版学位论文，学校可以采用影印、缩印或其他复制手段保存研究生上交的学位论文，可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索；2)为教学和科研目的，学校可以将公开的学位论文或解密后的学位论文作为资料在

5、图书馆、资料室等场所或在校园网上供校内师生阅读、浏览。本人学位论文全部或部分内容的公布(包括刊登)授权西安理工大学研究生部办(保密的学位论文在解密后，适用本授权说明)论文作者躲丝导⋯：皿竺冀归恕彩臼第一章引言1引言1．1SiCGe薄膜概述同Si、Ge、GaAs、InP等常用的半导体材料相比，SiC材料宽的禁带、高的热导率、高临界击穿电场，使得SiC器件可以在高温下、大电流、高的器件密度下安全工作，同时SiC还具有硬度高、热稳定性好、耐腐蚀等杰出的理化特征，正是由于这些卓越的电学、理化特性使得SiC材料及SiC基的其它化合物半导体材料在光电器件、高温器件、抗辐射耐腐蚀器件和高频大功率器件等极

6、端电子学领域具备很大的优势，显示出其它材料无法取代的优越性11-31。SiC及SiC基的其它化合物半导体材料以其独特的物理性质和优越的电学性质，在高温、高频、大功率和抗辐射的微电子、光电子器件应用中极具潜力，SiC器件也在军事电子系统、航空航天工程、核动力工程、矿物开采与加工、化学工业、汽车制造业等领域有着广阔的应用前景，因而国内外多家科研单位均对此开展着深入细致的研究‘21。使用宽禁带材料可以提高器件的工作温度。6H-SiC和4H—SiC的禁带宽度分别高达3．0eV和3．25eV，相应的本征温度可高达800℃以上，即就是禁带最窄的3C-SiC，其禁带宽度也在2．3eV左右。因此，用碳化硅

7、做成的器件，其最高工作温度有可能超过600"C。功率开关器件的阻断电压与其漂移区(单极器件)或基区(双极器件)的长度和电阻率有关，而单极功率开关器件的通态比电阻又直接决定于漂移区的长度和电阻率，因而与其制造材料击穿电场强度的立方成反比。使用击穿电场强度高的材料制作高压功率开关，其电阻率不必选择太高，器件的漂移区或基区也不必太长。这样，不但其通态比电阻会大大降低，工作频率也会大大提高。碳化硅的击穿电场强度是硅的8倍，其电子