模块6-基本应用指令

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1、第19章微机电系统（MEMS）利用集成电路制造工艺中的加工方法，可以在硅材料上制作极其微小的机械装置。这些机械装置主要可分为传感器和执行器两大类。如果将它们与集成电路做在一起，就可制成包括传感器、控制器和执行器在内的微型智能电子机械系统。这就是MEMS（MicroelectronmechanicalSystem）技术。19.1硅基微型机构的优点一、机械的小型化和轻量化节约材料和能源；惯性小，因而灵敏度高、频率高；热容量小；等等。在医疗与军事等领域有巨大的应用前景。二、高效的加工和装配采用集成电路制造工艺中的加工方法，可以大批量生产，且均匀性重复性好。三、与IC制造相兼容可以很方便地与

2、控制电路集成在一起，形成微型的智能化机械系统。四、单晶硅有良好的机械性能单晶硅的弹性系数与破坏应力大体和钢接近，不产生塑性形变，直到被破坏为止都有弹性。唯一的缺点是比较脆。19.2硅基微型机构的加工制造技术一、体硅腐蚀技术这种技术是在空间的三个维度上将硅衬底的大部分腐蚀掉，只留下选定的区域，以形成最终的单晶硅结构。这种技术的基础是，在某些腐蚀液中，单晶硅的腐蚀速率在不同方向上具有各向异性。常用的体硅腐蚀液有KOH溶液和乙二胺邻苯二酚（EDP）等。它们对硅（111）面的腐蚀速率比对（100）面和（110）面的低1到2个数量级。其中KOH溶液无毒，装置简单，腐蚀质量好，操作容易。但缺点是

3、K+离子的沾污会影响器件性能，因此与IC制造工艺不相容。利用体硅腐蚀技术可形成硅杯、硅膜片和SiO2悬臂梁等。MEMS元件的尺寸控制利用体硅腐蚀技术制造的MEMS元件，其横向尺寸取决于光刻，可以控制得非常精确。但是其深度方向上的尺寸由湿法腐蚀决定，因此比较难控制。体硅腐蚀技术中控制腐蚀深度的方法，称为腐蚀终止技术，主要有以下5种：1、定时腐蚀2、V形槽的各向异性腐蚀3、P++掺杂层自停技术4、电化学自停技术5、高密度RIE（HDPRIE）刻蚀技术1、定时腐蚀最简单的方法就是靠时间和经验来控制腐蚀的终止，但这种方法的精度最差，且有负载效应。2、V形槽的各向异性腐蚀<111><100>3

4、、P++掺杂层自停技术表面掺硼背面氧化N-Si背面光刻腐蚀硅P++掺杂层4、电化学自停技术对N型硅加上相对于腐蚀液为正的偏置电压，将阻止N型硅的腐蚀。KOH腐蚀液5、高密度RIE（HDPRIE）刻蚀技术利用RIE刻蚀技术可实现与晶面无关的各向异性刻蚀。现已可获得深宽比达30以上的坑槽。但由于刻蚀速率很慢，通常用于小区域上的各向异性刻蚀。利用体硅腐蚀技术形成的硅杯、硅膜片和SiO2悬臂梁二、表面加工技术采用与集成电路制造工艺相似的各种标准加工工艺，如薄膜淀积、光刻等。其中最重要的一种加工技术称为“表面牺牲层腐蚀技术”，可在硅片表面制作可动的机械结构。这种技术利用不同材料在同一腐蚀液中腐

5、蚀速率的巨大差异，将已按一定形状和顺序叠加在一起的多层薄膜材料中的一层选择性地去掉，从而得到所需的结构。被去掉的这一层即称为表面牺牲层。常用的慢腐蚀材料有Si和Poly-Si，牺牲层材料有CVDSiO2、PSG、Al和PMMA。腐蚀液为HF溶液。利用这种技术可制作Poly-Si膜片、悬臂梁和轴承等。淀积与光刻PSG-1与Poly-Si-1淀积与光刻PSG-2淀积与光刻Poly-Si-2腐蚀掉全部PSG固定轴（Poly-Si-2）旋转臂（Poly-Si-1）加速度计市场是应用MEMS的最好范例。许多公司都是从开发加速度计而进入MEMS领域的。MEMS加速度计现在已是成熟商品，并在市场中

6、占绝对的支配地位。MEMS加速度计的一个重要应用是在汽车安全气囊系统中。各公司制作这种加速度计的具体工艺各不相同。下图的加速度计是由以体硅腐蚀技术加工的多层硅片迭加而成。加速度使硅质量块移动，从而改变应变电阻的值。通过测量电阻值的改变可换算出加速度。19.3应用实例硅质量块应变电阻一、加速度传感器MEMS较早进入且现已占据支配地位的另一个领域是压力传感器。压力传感器的工作原理与加速度传感器类似，也是由压力造成的形变使应变电阻值发生改变。与加速度传感器不同的是，由于质量块需感受压力，因而不能密封。当质量块仅一侧开放时，称为绝对压力传感器；当质量块两侧均开放时，称为相对压力传感器。下图是

7、一种相对压力传感器的芯片剖面图。应变电阻硅膜片硅质量块玻璃底座二、压力传感器原子力显微镜和扫描隧道显微镜的探针几乎都是用MEMS工艺制作的。要求探针具有很好的形状和非常软的悬挂架，典型的探针悬挂材料是氮化硅。MEMS技术是满足这一要求的唯一可行方案。氮化硅悬梁微探针带电极和信号处理极的微探针可以插入大脑中测量电信号。能够抓住并移动细胞的尖MEMS手有可能应用于最小的显微外科手术中，以减少病人的痛苦和缩短伤口愈合时间。三、微探针四、微活页1988年，美国加州