一种单晶硅棒切方工艺-需修正数据[1]

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1、说明书一种单晶硅棒切方工艺技术领域本发明属于光伏技术领域，具体是涉及一种用于现代单晶硅片生产的单晶硅棒切方工艺。背景技术随着全球范围内绿色能源的推广和近年来半导体产业的飞速发展，硅片市场的供需已极度不平衡，切割加工能力的落后与产能的严重不足已构成了整个半导体产业链的瓶颈。作为硅片上游生产的关键技术，近年来崛起的新型硅片多丝切割技术具有切割表面质量高、切割效率高、可切割尺寸大和后续加工方便等优点。而日本NTC切方机在正产生产过程中稳定性（连续切割三批后）波动比较大，第一批次和第三批次切割尺寸误差超过±0.8左右，第三批次后的尺寸往往超过公差标准，上下斜度更是超过＋0.6以上，合

2、格率仅仅只有50％左右，（单位长度300mm左右）需经再次修磨才能合格，这些不合格方棒给公司带来了极大的损失。发明内容本发明的目的在于针对现有技术中存在的不足，提供一种切割精度高，次品率低的单晶硅棒切方工艺。本发明的目的通过以下的技术方案实现：所述单晶硅棒切方工艺包括如下步骤：（1）选取长度在220~500mm之间，直径在153~160mm之间的单晶硅圆棒，将单晶硅圆棒用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上并在常温下冷却，粘胶温度为380～420℃，单晶硅圆棒的垂直偏差角度在90°±1.5以内；（2）将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆

3、棒；（3）校准连接定位台,将导向轮间距修正为124.7mm；设定加工切割参数，开动切方机进行带砂切割，其中，砂浆密度为1.70~1.82g/cm3；砂浆温度为24.5~25.5℃；砂浆流量为110L/min~130L/min；新线放给量为30m/min；切割平均速度为580~620m/min；切割速度530um/min（4）将上述切割后的半成品转移到30~35℃温水中放置10~15min后，再放入58～62℃左右的热水中进行脱胶,去除边皮并分离晶托；-1-（5）检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品，边长公差在±0.1mm以内，垂直偏差度在90°±1.5度以内，表面光洁度在

4、▽6以上的即为合格品，合格品可转入其他操作工序。所述砂浆的配制：首先将碳化硅F360和碳化硅W800按6:4的重量比混合均匀制成混合物；然后将上述混合物与聚乙二醇按1:1.05的重量比混合并搅拌均匀，配制成砂浆。本发明与现有技术相比，切割效果良好，合格率大幅度提高，极大地提高了机器的工作效率；导向轮间距经过修正后，即使切割中带砂不够，也能保证整个尺寸控制在公差值以内。具体实施方式下面结合具体实施例对本发明作进一步描述：实施例1（1）选取长度为300mm，直径在155mm的单晶硅圆棒，将单晶硅圆棒用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上并在常温下冷却，粘胶温度为400℃，单晶硅圆棒的垂直

5、偏差角度在90°±1.5以内；（2）将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机的加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆棒；用加磁器加磁10秒，连续3次；（3）校准定位台,将导向轮间距修正为124.7mm；设定加工切割参数，开动切割机进行带砂切割，其中，砂浆密度为1.78g/cm3；砂浆温度为25℃；砂浆流量为110L/min；新线放给量为30m/min；切割平均速度为600m/min；切割速度530um/min（4）将上述切割后的半成品转移到30℃左右的温水中放置15min后，再放入60℃左右的热水中进行脱胶，去除边皮并分离晶托后转入其它操作工序；（5）检验上述经过脱胶并

6、分离晶托处理后的半成品，经检验，该半成品边长公差为0，垂直偏差度为0，表面光洁度为▽9，完全符合切方标准要求，可转入其它操作工序。实施例2本发明单晶硅棒切方工艺包括如下步骤：（1）选取长度为300mm，直径在155mm的单晶硅圆棒，将单晶硅圆棒用粘胶垂直粘接在切方机的晶托上并在常温下冷却，粘胶温度为400℃，单晶硅圆棒的垂直偏差角度在90°±1.5以内；-1-（2）将切方机的晶托和单晶硅圆棒放置在切方机的加磁工作台上，编号记录，加磁固定晶托和单晶硅圆棒；用加磁器加磁10秒。连续3次（3）校准定位台,将导向轮间距修正为124.7mm；设定加工切割参数，开动切割机进行带砂切割，其

7、中，砂浆密度为1.78g/cm3；砂浆温度为25℃；砂浆流量为110L/min；新线放给量为30m/min；切割平均速度为600m/min；切割速度530um/min（4）将上述切割后的半成品转移到30℃左右的温水中放置15min后，再放入60℃左右的热水中进行脱胶，去除边皮并分离晶托后转入其它操作工序；（5）检验上述经过脱胶并分离晶托处理后的半成品，经检验，该半成品边长公差为0，垂直偏差度为0，表面光洁度为▽9，完全符合切方标准要求，可转入其它操作工序。实施例3本发明单晶硅棒切方工艺包括如下步骤：（1