模拟电路-题库汇总.docx

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1、第3章半导体二极管及其基本应用电路3.1判断下列说法是否正确，用“√”和“´”表示判断结果填入空内1.半导体中的空穴是带正电的离子。（）2.温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。（）3.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）4.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）3.2填空1.半导体是导电能力介于_______和_______之间的物质。2．利用半导体的_______特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______特性,制成热敏电阻。3．PN结加正向电压时_____

2、__，加反向电压时_______，这种特性称为PN结的_______特性。4.二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是和和。5.稳压管工作在伏安特性的________区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压_______。6.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将________，反向特性曲线将_______。3.3选择填空1.在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价2.N型半导体中多数载流子是；P型半导体中多数载流子是。A．自由电子B．空穴3.N型半导体；P型半导体。A．带正电B．带负电C．呈电中性4.在掺

3、杂半导体中，多子的浓度主要取决于，而少子的浓度则受的影响很大。A．温度B．掺杂浓度C．掺杂工艺D．晶体缺陷5.PN结中扩散电流方向是；漂移电流方向是。A．从P区到N区B．从N区到P区6.当PN结未加外部电压时，扩散电流飘移电流。A．大于B．小于C．等于7.当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层；当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。A．大于B．小于C．等于D．变宽E．变窄F．不变8二极管的正向电阻，反向电阻。A．大B．小9.当温度升高时，二极管的正向电压，反向电流。A．增大B．减小C．基本不变10.PN结加正向电压时，空间电荷区将。A.变窄B.基本不变

4、C.变宽11.设二极管的端电压为VD，则二极管的电流方程是。A.B.C.12.稳压二极管稳压时，其工作在，发光二极管发光时，其工作在。A．正向导通状态B．反向截止状态C．反向击穿状态3.4综合分析题1.试求图P1.1所示各电路的输出电压值UO，设二极管的性能理想。（a）（b）（c）（d）（e）（f）图P1.12.在图P1.2所示电路图中，试求下列几种情况下输出端Y点的电位及流过各元件的电流。⑴UA=UB=0V；⑵UA=3V，UB=0V。设二极管的导通电压Uon=0.7V。图P1.2图P1.33.分析图P1.3所示电路中各二极管的工作状态，试求下列几种情况下输出端Y点的电位及

5、流过各元件的电流。⑴UA=UB=0V；⑵UA=5V，UB=0V；⑶UA=UB=5V。二极管的导通电压Uon=0.7V。4.在图P1.4所示电路中，已知输入电压ui=5sinwt（V），设二极管的导通电压Uon=0.7V。分别画出它们的输出电压波形。（a）（b）（c）图P1.45.在图P1.5所示电路中，已知ui=10sinwt（V），二极管的性能理想。分别画出它们的输入、输出电压波形。（a）（b）（c）图P1.56.图P1.6所示为一限幅电路，输入电压ui=10sinwt（V），试画出输出电压的波形。设VD1、VD2的性能均理想。图P1.67.有两个硅稳压管，VDZ1、VD

6、Z2的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V，稳定电流是5mA。求图P1.7各个电路的输出电压UO。（a）（b）（c）（d）（e）（f）图P1.78.图P1.8所示稳压管稳压电路中，稳压管的稳定电压UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大功耗PZM=125mW。限流电阻R=1kW，负载电阻RL=500W。⑴分别计算输入电压UI为12V、35V三种情况下输出电压Uo的值。⑵若输入电压UI=35V时负载开路，则会出现什么现象？为什么？图P1.89.图1.8所示的稳压管稳压电路中，如果稳压管选用2DW7B，已知其稳定电压UZ=6V，最大稳定电流IZmax=30m

7、A，最小稳定电流IZmin=10mA，限流电阻R=200W。⑴假设负载电流IL=15mA，则允许输入电压的变化范围为多大？才能保证稳压电路正常工作？⑵假设给定输入直流电压UI=13V，则允许负载电流IL的变化范围为多大？⑶如果负载电流也在一定范围变化，设IL=10~15mA，此时输入直流电压UI的最大允许变化范围为多大？10.电路如图P1.9所示，已知UI=12V，电网电压允许波动范围为±10%，稳压管的稳定电压UZ=5V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=30mA，负载电阻为250—350欧