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《浙江4月高等教育自学考试线性电子电路试题及答案解析.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、浙江省2018年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每空1分，共20分)1.利用晶体二极管的___________和___________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成___________电流，由外加电场引起载流子运动形成___________电流。3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由___________材料制造。4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要
2、是___________电容，集电结的结电容主要是___________电容。5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道，其中由___________形成的沟道称为N沟道。6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈___________关系，故又称该区为___________。7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。8.放大电路的失真分为____
3、_______和___________两大类。9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是___________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的___________。10.深度负反馈条件是___________，此时反馈放大器的增益近似等于___________。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结外加正向电压时，扩散电流()漂移电流。A.大于B.小于C.等于D.近似等于2.当P型半导体和N型半导体相接触时
4、，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?()A.阻挡层B.耗尽层C.空间电荷区D.突变层3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合适?()A.β=200,ICEO=10μAB.β=10,ICEO=0.1μAC.β=50,ICEO=0.1μAD.β=100,ICEO=10μA4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=1.6KΩ，β=50,则等于()。A.200ΩB.300ΩC.400ΩD.500Ω5.某场效应管的I
5、DSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是()。A.P沟道结型管B.耗尽型PMOS管C.耗尽型NMOS管D.增强型PMOS管6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的()。A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降()。A.3dBB.6dBC.20dBD.9dB8.集成运算放大器实质上是一种()。A.交流放大器B.高电压增益的交流放大器C.高电压增益的直接耦合放
6、大器D.高增益的高频放大器9.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是()。A.各级电路的参数很分散B.回路增益
7、
8、大C.闭环增益大D.放大器的级数少10.负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?()A.减少放大器增益B.改变输入电阻C.改变输出电阻D.改善噪声系数三、简答题(每小题5分，共15分)1.设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求VAO的值。2.设图三(2)所示电路中三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?3.在图三(3)所示电路中
9、，已知MOS管的,VGs(th)=1.0V,试求IDQ,VGSQ,VDSQ的值。四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大器电路如图四(1)所示，已知场效应管的gm=2ms,rds忽略不计，所有电容对交流呈短路。求：(1)电压放大倍数Av；(2)输入电阻Ri和输出电阻Ro；(3)只考虑CD的影响，求低端转折频率fL的值。2.差动放大电路如图四(2)所示，已知IEE=1mA，所有管子特性相同，β=100,=0,
10、VA
11、=100V，求：(1)差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod；(2)差模电压放大
12、倍数Aυd=υo/(υi1-υi2)；(3)由T3管构成的恒流源的等效内阻ro3.3.电路如图四(3)所示。(1)采用υ01输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?(2)采用υ02输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?(3)假设为深度负反馈，试求第2种情况下的电压增益Aυf=υo2/υi.4.运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求(1)υ03和υo(t)及υ02和υ03的关系；(2)写出υo(t)和υs(t)之间的关系式。5．电路如图四(5)
