DDR2学习笔记

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1、个人笔记整理，可能存在错误，仅供参考DDR2初识1.1基础SDRAM:SynchronousDynamicRandomAccessMemory，同步动态随机存储器，同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。DDR2第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-RateTwoSynchronousDynamicRandomAccessMemory），双倍速率主要体现在采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数

2、据传输的基本方式。另外，DDR2内存核心在于其拥有两倍于标准DDR内存的4Bit预读取能力，即一次将4Bit数据读入到IO缓存中，在需要时内存既可快速进入处理环节，这样减少了数据查找、等待、排队的时间，提高效率。DDR2规格传输标准核心频率总线频率等效传输频率数据传输率DDR2-400PC23200100MHz200MHz400MHz3200MB/SDDR2-533PC24300133MHz266MHz533MHz4300MB/SDDR2-667PC25300166MHz333MHz667MHz5300MB/SDDR2-800PC26400200MHz40

3、0MHz800MHz6400MB/SOCD(Off-ChipDriver)：片外驱动电阻调整技术。DDR2通过OCD可以提高信号的完整性。通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。不过，OCD技术在普通的应用领域所发挥的作用并不明显，而在服务器上使用，它的功能才能被充分发挥出来。　　ODT（OnDieTerminator）：即内建核心的终结电阻器。它的主要作用是能够直接提升系统的稳定性。使用DDRSDRAM的主板上面为了防止数据线终端

4、反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。简单来说，ODT可以和内存颗粒的“特性”相符，从而减少内存与主板的兼容问题的出现。　　PostedCAS（RAS紧接着CAS）：它为了解决DDR内存中指令冲突问题，提高

5、DDRII内存的利用效率而设计的功能。在PostCAS操作中，CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟(AdditiveLatency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(AdditiveLatency)所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生冲突。不过要注意的是，PostedCAS功能的优势只有在那些读写命令非常频繁的运作环境下才能体现，对于一般的应用来说，开启PostedCAS功能反而会降低

6、系统的整体性能。DDR2数据总线位宽X4/X8/X16：区别在于DQS(数据同步)/RDQS（读数据同步）/UDQS（高位数据同步15:0）/LDQS（地位数据同步7:0）这些数据同步信号，1.2接口端口方向功能CK，CK#input时钟信号，差分时钟，所有地址和控制信号都在CK的上升沿和CK#的下降沿的交叉处被锁存；输出数据与CK和CK#的交叉对其（双沿输出）。CKEinput时钟使能，为“高”时使能内部时钟信号，输入缓存。输出驱动；为“低”时进入PRECHARGE、Power-Down、SELF-Refresh等模式。CS#input片选信号，低有效，

7、为高时所有命令无效。ODTinputOnDieTermination，使能内部终结电阻RAS#,CAS#,WE#input行选通脉冲信号，列选通脉冲信号，写使能信号DM(UDM,LDM)input数据屏蔽信号，在写操作过程中，当DM为高时，输入数据将会被屏蔽；在读操作过程中DM可以为高、低或者悬空BA0-BA2inputBANK地址选通信号，用于确定对哪一个BANK进行激活、读写、预充电等操作A0-A15input地址输入信号，为ACTIVE命令提供行地址；为读写命令、AUTOPERCHARGE提供列地址；A10位只在precharge命令是被采样，当A1

8、0为低时，对一个BANK进行precharge操作；当A10为高时