具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究

具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究

ID:36791027

大小:2.48 MB

页数:62页

时间:2019-05-15

具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究_第1页
具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究_第2页
具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究_第3页
具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究_第4页
具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究_第5页
资源描述:

《具有本征非晶硅层的异质结太阳能电池的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、华中科技大学硕士学位论文摘要HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer(HIT)结构使得在低温工艺下制备高性能的太阳能电池成为可能,是目前太阳能电池领域的研究热点。本文从HIT电池的效率损失机制入手,通过制备工艺的改进减少相应的损失以提高电池性能。首先在HIT电池的背面制备铝背场,通过工艺优化,在烧结温度为700℃时制备出有效少子寿命分布均匀,平均值大的样品,抑制了少数载流子在硅片背表面的复合;在制备铝背场时形成的良好铝-硅合金有很低的电阻率,作为电池的背电极可以形成良好的欧姆接触。通过优化本征层和n型掺杂层非晶硅薄膜的制备工

2、艺,得到具有较高光学带隙的非晶硅薄膜,同时n型掺杂层具有较高的电导率。分别用湿法刻蚀(HF)和干法刻蚀(NH3)对异质结界面进行预处理,可以有效钝化界面,减少因界面复合而造成的效率损失。并通过比较得出,干法刻蚀具有更好的钝化效果。最后在单晶硅衬底表面制备出形状规则、大小均匀的金字塔型绒面结构,使表面反射率从最初的35.9%降低到10.9%,增加了电池对光的吸收。通过以上工艺的优化,减少了HIT电池的光学损失和电学损失,使电池整体性能得以提高。除此之外,本文在实验过程中,对各阶段的优化工艺均制备一块HIT电池样品,经过系统比较,得出本文最终的制备HIT太阳能电

3、池的优化工艺,并对工艺的进一步优化提出了改进方案。关键词:HIT太阳能电池;铝背场;氢化非晶硅薄膜;界面钝化;绒面结构I华中科技大学硕士学位论文AbstractHeterojunctionwithIntrinsicThin-layer(HIT)makesitpossibletogethighperformancessolarcellsbylowtemperatureprocess.Ithasattractedmuchattentionnow.ThelossmechanismsoftheHITsolarcells’efficiencywereinvestiga

4、tedinthepaper,whicharesuppressedbyoptimizingrelativeprocesstopromotetheperformancesofthedevice.TheAl-BackSurfaceField(Al-BSF)wasfabricatedonthebacksurfaceofHITsolarcellinthepaper.Asamplewithwelldistributedandlargeaverageeffectiveminoritycarrierslife-timewasobtainedbyoptimizingthepr

5、ocessasthesinteringtemperatureis700℃,whichsuppresstherecombinationofminoritycarriersatthebacksurfaceofc-Sisubstrate.Meanwhile,theAl-Sialloywithverylowresistivitywasformedthatcouldbeusedastheback-electrodeoftheHITsolarcell,whichcanformperfectOhm-contact.Thea-Si:Hthin-filmwithhighero

6、pticalbandgapisrealizedbyoptimizingtheprocessoffabricatingintrinsicandn-dopeda-Si:Hthin-film.Atthesametime,then-typea-Si:Hthin-filmgothighconductivity.Then,thewet-etching(HF)anddry-etching(NH3)wereusedtopre-treattheinterfaceofheterojunctionseparately,whichcanpassivatetheinterfaceef

7、fectivelyandreducetheefficiencylossduetotherecombinationattheinterface.Bycomparingtheresults,theconclusionthatdry-etching(NH3)hasabetterpassivationeffectcanbeobtained.Atlast,thetexturedstructurewithsystematicanduniformpyramidwasfabricatedonthesurfaceofthec-Siinthispaper,whichenhanc

8、edthelightabsorptionofthes

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。