《报告指导博士》ppt课件

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1、1Outline1.Introduction2.Experimentalprocedure3.Resultsanddiscussion4.Conclusions2IntroductionConsiderableprogresshasbeenmadeinspatiallyresolvedsolarcellcharacterizationwithcamera-basedtechniques.Importantcellandmaterialparameters,suchasrecombinationlifetimes,trapdensities,

2、powerlosses,shuntdistributions,ordiffusionlengths,canbeimagedinafewminutesorsometimesevenseconds.Weperformrecombinationcurrentandseriesresistanceimagingonlarge-areacrystallinesiliconsolarcellsusingacombinedanalysisofcamera-baseddarklock-inthermographyDLITandelectroluminesc

3、enceELimaging.Combiningthetwoimagespixelbypixelallowsustocalculateimagesofthelocalrecombinationcurrentandthelocalseriesresistanceofthesolarcell.3ExperimentalprocedureTheDLITmeasurementsareperformedusinganinfraredcamerasensitiveinthewavelengthrangefrom3.9to5m,whichismounted

4、inadarkchamber.11Alock-infrequencyof20Hzisusedforallimagesgeneratedinthisstudy,whichcorrespondstoathermaldiffusionlengthof1.2mminsilicon.TheELsetupusesaSichargecoupleddeviceCCDcameraandisalsomountedinadarkbox.CorrecttheELimagesforstraylightanddarknoisebysubtractingadarkima

5、gerecordedatequalexposuretime.Duringbothmeasurementsweconnectthecellstoabipolarpowersourceandmeasurethecurrentandvoltageusingafour-pointcontactingschemewith22probesoneachbusbar.4Resultsanddiscussion56有四個重要的結論光學效果忽略電阻與電流密度的兩種圖像，限制量測均勻的晶片只能使用光學的量測方法，不均勻的晶片需更正紅外線的發光與發射率。他們假設D

6、LIT忽略電流流過所產生的熱，這樣的假設會使模組的電流上升1~3%。假設外加電壓，這就使N結邊緣的空間電荷會超過原本的電流密度與載子濃度，這樣就能忽略費米能階的值，但在整個模組上是很微小的。忽略銀膠的電阻，導致會低估總電阻值，值約0.1Ωcm27他們提出使用複合電流與串聯電組成像的方法，再利用不同特徵技術，使相機擷取光與熱的訊號。開創不損壞以及能夠快速檢測晶片特性的分析方法；與接觸式的檢測法比較量測速度，只有非常小的差異。如果能夠結合光與熱訊號擷取技術，就能提高量測電阻值的靈敏度。如果考慮光的不均勻性，也能利用在檢測多晶矽晶片。8Concl

7、usionsThankyouforyourattention9