经典讲义:MOSFET的驱动技术

经典讲义:MOSFET的驱动技术

ID:42268711

大小:912.13 KB

页数:32页

时间:2019-09-10

经典讲义:MOSFET的驱动技术_第1页
经典讲义:MOSFET的驱动技术_第2页
经典讲义:MOSFET的驱动技术_第3页
经典讲义:MOSFET的驱动技术_第4页
经典讲义:MOSFET的驱动技术_第5页
资源描述:

《经典讲义:MOSFET的驱动技术》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库

1、MOSFET的驱动技术MOSFET简介MOSFET的全称为:metaloxidesemiconductorfield-effecttransistor,中文通常称之为,金属-氧化层-半导体-场效晶体管.MOSFET最早出现在大概上世纪60年代,首先出现在模拟电路的应用。功率MOSFET在上世纪80年代开始兴起,在如今电力电子功率器件中,无疑成为了最重要的主角器件。MOSFET的简单模型MOSFET的一些主要参数耐压:通常所说的VDS,或者说是击穿电压。那么一般MOS厂家是如何来定义这个参数的呢?上面这个例子显示,当驱动电压为0,Vds

2、达到200V的时候,Id这个电流达到了250uA,这个时候认为已经达到击穿电压。不同的厂家对此定义略有不同,但是基本上来说,当电压超过击穿电压,MOS的漏电流就会急剧上升。MOSFET的一些主要参数导通电阻:MOSFET在导通之后,其特性可以近似认为是一个电阻上面这个例子表示,在驱动电压为10V的时候,导通电阻为0.18欧姆MOSFET的一些主要参数导通电阻的温度关系:MOS的导通电阻随温度上升而上升,下图显示该MOS的导通电阻在结温为140度的时候,为20度时候的2倍。MOSFET的一些主要参数导通阀值电压:就是当驱动电压到达该

3、值之后,可认为MOS已经开通。上面这个例子,可以看到当Vgs达到2-4V的时候,MOS电流就上升到250uA。这时候可认为MOS已经开始开通。MOSFET的一些主要参数驱动电压和导通电阻,最大导通电流之间的关系从右图可以看到,驱动电压越高,实际上导通电阻越小,而且最大导通电流也越大导通阀值电压随温度上升而下降MOSFET的一些主要参数MOSFET的寄生二极管寄生二极管比较重要的特性,就是反向恢复特性。这个在ZVS,同步整流等应用中显得尤为重要。MOSFET的一些主要参数MOSFET的寄生电容这三个电容的定义如下:MOSFET的一

4、些主要参数MOS的寄生电容都是非线性电容,其容值和加在上面的电压有关。所以一般的MOS厂家还会用另外一个参数来描述这个特性:用电荷来描述MOSFET的驱动技术MOS虽然是电压型驱动,但是由于寄生电容的存在,必须要求驱动电路提供一定的驱动电流。较小的驱动电流,会导致MOS的GS电压上升缓慢,降低了开关速度,提高了开关损耗。MOSFET的驱动技术米勒电容Cgd米勒电容虽然看起来很小,但是对驱动的影响很大,特别在VDS比较高的场合。但是在ZVS和同步整流等应用中,由于VDS会在驱动上来之前,下降到零,就不存在这个问题。MOSFET的驱动技

5、术IC的驱动能力:不同的IC厂家,对驱动能力的定义有所不同。上面的例子定义驱动能力为峰值电流(在特定条件下)有些厂商就用内阻来定义驱动能力。MOSFET的驱动技术当IC本身的驱动能力不足的时候,就需要外加驱动电路来增强驱动能力,以达到快速开关MOS的需求1.采用分立器件,比如图腾柱。2.采用集成的驱动IC.MOSFET的驱动技术MOSFET的低端(lowside)驱动:所谓低端驱动,就是驱动电路的参考地,就是MOS的S端。UC3845IRF530RefvVpU1OscVfbVoutQ1CompSenseGndMOSFET的驱动技

6、术低端驱动,电路往往比较简单,除了驱动能力之外,还是需要注意一些细节。MOSFET的驱动技术MOSFET的高端(HighSide)驱动很多情况下,MOSFET的S极并不是IC的参考地,比如BUCK开关管,桥式电路的上管……MOSFET的驱动技术自举驱动,利用自举电路,自动抬升供电电压。自举的驱动芯片种类很多,但是需要注意其耐压。MOSFET的驱动技术对于二极管整流的buck,自举驱动需要注意的问题。MOSFET的驱动技术MOSFET的驱动技术利用变压器隔离驱动:对于浮地的MOS,或者和IC隔离的MOS,通常可以采用变压器隔离驱动M

7、OSFET的驱动技术变压器隔离驱动的关键:变压器隔离驱动关键考虑的问题,就是变压器的复位,比较常用是利用隔直电容来复位,但是需要注意的是,采用隔直电容之后,有可能变压器传递的电压幅度和占空比有关。需要考虑变压器的变比。对于跨初次级的驱动变压器,还需要考虑其耐压的问题。MOSFET的驱动技术利用简单倍压电路来抬升驱动电压。下图的驱动电路,可以传递大占空比的驱动信号,而且可以让驱动电压不下降。MOSFET的驱动技术隔直电容带来的问题:由于隔直电容会储存能量,所以在驱动消失之后,隔直电容会和变压器产生谐振,导致驱动电路传递错误的驱动信号

8、。MOSFET的驱动技术为了降低这个问题的影响。可以利用这些电阻来阻尼这个震荡。MOSFET的驱动技术对具有隔直电容的驱动电路,有些IC会植入so

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。