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1、半导体刻蚀工艺技术——ICP摘要：ICP技术是微纳加工中的常用技术之一，本文简单介绍了ICP刻蚀技术(inductivelycoupledplasma)的基本原理和刻蚀设备的结构，对ICP工艺所涉及的化学、物理过程做了简要分析。阐述了ICP刻蚀参数对刻蚀结果的影响以及干法刻蚀的生成物。由于ICP技术在加工过程中可控性高，具有越来越重要的地位。以在硅基MEMS器件的ICP刻蚀为例，详细的介绍了在硅基MEMS制作过程中ICP刻蚀的反应过程，说明了在ICP刻蚀过程中如何实现控制加工深度和角度。据近年来国内外I
2、CP技术的发展现状和发展趋势，对其在光电子器件、半导体氧化物、111一V族化合物等方面的应用作了一些简要介绍。关键词：ICP、刻蚀、参数、模型、等离子体ProcesstechnologyofsemiconductoretchingICPLIUZhiWei(Xi'anElectronicandScienceUniversity,SchoolofMicroelectronics」411122908)Abstract：ICPtechnologyisoneofthecommonlyusedinmicronano
3、processingtechnology,ThispapersimplyintroducesICPetchingtechnology(inductivelycoupledplasma)structureandthebasicprinciplesofetchingequipment,TodoabriefanalysisontheICPprocessinvolvedinchemical,physicalprocess.DescribestheeffectsofICPetchingparametersonth
4、eetchingresultsandtheresultantdryetching.BecausetheICPtechnologyintheprocessofprocessinghighcontrollability,playsamoreandmoreimportantrole.UsingICPetchinginsiliconMEMSdeviceasanexample,describesindetailinthereactionprocessofsiliconbasedMEMSintheproductio
5、nprocessofICPetching,explainshowtorealizethecontrolofmachiningdepthandangleintheICPetchingprocess.AccordingtothedevelopmentstatusanddevelopmenttrendathomeandabroadinrecentyearsofICPtechnology,itsapplicationinoptoelectronicdevicesandsemiconductoroxide,III
6、agroupVcompoundaswellassomebriefintroduction.Keywords：ICP>etching,parameter,model,plasma1引言刻蚀是微细加工技术的一个重要组成部分，微电子学的快速发展推动其不断向前。从总体上来说，刻蚀技术可分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种,初期的刻蚀以湿法刻蚀为主，但随着器件制作进入微米、亚微米吋代，湿法刻蚀难以满足越来越高的精度要求。干法刻蚀技术得以很人进展。干法刻蚀-•般为通过物理和化学两个方面相结合的办法來去除被刻蚀的薄膜，因此刻蚀
7、具有各向异性，这就可以从根本上改善湿法所同冇的横向钻蚀问题，从而满足微细线条刻蚀的要求。常用的干法刻蚀有很多，ICP技术是其中的一种。ICP刻蚀技术具有刻速快、选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好、刻蚀断面轮廓可控性高和刻蚀表面平整光滑等优点，并且TCP与ECR刻蚀设备相比，具有结构简单、外形小、操作简便、便于自动控制、适合大面积基片刻蚀等一系列优点。近年來,ICP刻蚀技术被广泛应用在硅、二氧化硅、111-V族化合物等材料的刻蚀上，取得了很好的刻蚀效果,可以满足制作超大规模集成电路、MEMS
8、、光电子器件等各种微结构器件的要求。2ICP刻蚀技术2.1ICP刻蚀技术的基本原理TCP刻蚀过程中存在十分复杂的化学过程和物理过程，两者相互作用，共同达到刻蚀的目的。ICP刻蚀过程中存在十分复杂的化学过程和物理过程•其中化学过程主要包括两部分:其一是刻蚀气体通过电感辆合的方式辉光放电,产生活性游离基、亚稳态粒了、原了等以及它们Z间的化学相互作用；其二是这些活性粒子与基片固体表面的相互作用。主要的物理过程是离了对基片表面的轰击.这里的物理轰击
