模拟第3章晶体管电路

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1、第3章场效应管及其放大路3.1.1场效应管3.1.2场效应管及放大电路3.1场效应管引　言1结型场效应管3场效应管的主要参数2MOS场效应管引言场效应管FET(FieldEffectTransistor)类型：结型JFET(JunctionFieldEffectTransistor)绝缘栅型IGFET(InsulatedGateFET)特点：1.单极性器件(一种载流子导电)3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低2.输入电阻高(1071015，IGFET可高达1015)1结型场效应管1.结构与符号N沟道JFETP沟道JFET2.工作原

2、理(1)UGS对ID的控制作用2.UDS对ID的影响3.UDS和UGS共同作用uGS0，uDS>0此时uGD=UGS(off)；沟道楔型耗尽层刚相碰时称预夹断。当uDS，预夹断点下移。3.转移特性和输出特性UGS(off)当UGS(off)uGS0时,uGSiDIDSSuDSiDuGS=–3V–2V–1V0V–3VOO2MOS场效应管MOS场效应管（绝缘栅场效应管）N沟道绝缘栅场效应管P沟道绝缘栅场效应管增强型耗尽型增强型耗尽型一、增强型N沟道MOSFET(MentalOxideSemi—FET)1.结构与符号P型衬底(掺杂浓度低)N+

3、N+用扩散的方法制作两个N区在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层SD用金属铝引出源极S和漏极DG在绝缘层上喷金属铝引出栅极GB耗尽层S—源极SourceG—栅极GateD—漏极DrainSGDB2.工作原理1)uGS对导电沟道的影响(uDS=0)反型层(沟道)1)uGS对导电沟道的影响(uDS=0)a.当UGS=0，DS间为两个背对背的PN结；b.当0

4、影响(uGS>UGS(th))DS间的电位差使沟道呈楔形，uDS，靠近漏极端的沟道厚度变薄。预夹断(UGD=UGS(th))：漏极附近反型层消失。预夹断发生之前：uDSiD。预夹断发生之后：uDSiD不变。3.转移特性曲线2464321uGS/ViD/mAUDS=10VUGS(th)当uGS>UGS(th)时：uGS=2UGS(th)时的iD值开启电压O4.输出特性曲线可变电阻区uDS

5、D=0iD/mAuDS/VuGS=2V4V6V8V截止区饱和区可变电阻区放大区恒流区O二、耗尽型N沟道MOSFETSGDBSio2绝缘层中掺入正离子在uGS=0时已形成沟道；在DS间加正电压时形成iD，uGSUGS(off)时，全夹断。输出特性uGS/ViD/mA转移特性IDSSUGS(off)夹断电压饱和漏极电流当uGSUGS(off)时，uDS/ViD/mAuGS=4V2V0V2VOO三、P沟道MOSFET增强型耗尽型SGDBSGDBN沟道增强型SGDBiDP沟道增强型SGDBiD2–2OuGS/ViD/mAUGS(th)SGDBi

6、DN沟道耗尽型iDSGDBP沟道耗尽型UGS(off)IDSSuGS/ViD/mA–5O5FET符号、特性的比较OuDS/ViD/mA5V2V0V–2VuGS=2V0V–2V–5VN沟道结型SGDiDSGDiDP沟道结型uGS/ViD/mA5–5OIDSSUGS(off)OuDS/ViD/mA5V2V0VuGS=0V–2V–5V3场效应管的主要参数开启电压UGS(th)(增强型)夹断电压UGS(off)(耗尽型)指uDS=某值，使漏极电流iD为某一小电流时的uGS值。UGS(th)UGS(off)2.饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应管，当uGS

7、=0时所对应的漏极电流。IDSSuGS/ViD/mAOUGS(th)UGS(off)3.直流输入电阻RGS指漏源间短路时，栅、源间加反向电压呈现的直流电阻。JFET：RGS>107MOSFET：RGS=1091015IDSSuGS/ViD/mAO4.低频跨导gm反映了uGS对iD的控制能力，单位S(西门子)。一般为几毫西(mS)uGS/ViD/mAQOPDM=uDSiD，受温度限制。5.漏源动态电阻rds6.最大漏极功耗PDM场效应管与晶体管的比较管子名称晶体管场效应管导电机理利用多子和少子导电利用多子导电控制方式电流控制电压控制放大能

8、力较低高直流输入电阻小约几kΩ大JFET可达107Ω以上,MOS可达1010Ω稳定性受温度和辐射的影响较大温度稳定性好、抗辐射能力强噪声中等很小结构对