DB21∕T 2099-2013 贴梗海棠组培快繁技术规程

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1、ICS6.5.020.40B60DB21辽宁省地方标准DB21/TXXXXX—2012贴梗海棠组培快繁技术规程2012-XX-XX发布2013-XX-XX实施辽宁省质量技术监督局发布DB21/TXXXXX—2012目次前言II1 范围12 规范性引用文件13 术语和定义14 外植体的采集与处理25 培养基的配制36 接种47 培养条件48 试管苗炼苗59 试管苗驯化510 试管苗移栽511 定植6附录A(资料性附录) MS培养基母液的配制表7附录B(资料性附录) 常用植物生长调节物质配制表8附录C(资料性附录) 中华人民共和国国务院令(第23号)10参考文献1211DB21/

2、TXXXXX—2012前言本标准依据GB/T1.1-2009的规则起草。本标准的附录A、附录B和附录C为资料性附录。本标准由辽宁省林业厅提出并归口。本标准负责起草单位:辽宁省林业科学研究院。本标准主要起草人:马冬菁、陈罡、叶景丰、魏忠平、刘红民、卜鹏图、王军、陈丽静、王宇、祁爽、金山、张明宏、李红德、潘文利、范俊岗。11DB21/TXXXXX—2012贴梗海棠组培快繁技术规程1 范围本规程规定了贴梗海棠(Chaenomelesspeciosa)组培快繁殖技术规程,具体包括外植体的采集与处理、培养基的配制、接种、培养条件、试管苗炼苗、试管苗驯化、试管苗移栽和定植的技术要求。本标

3、准适用于贴梗海棠的组培快繁育苗。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB1882林木组织培养技术规程3 术语和定义以下术语和定义适用于本标准。3.1初代培养primaryculture将灭过菌的外植体接种于琼脂培养基上,诱导出愈伤组织或芽的培养过程。3.2增殖培养proliferationcultrue将培养材料周期性地分株、分割后转接入新鲜培养基中继续培养的过程。3.3增殖系数proliferationcoefficient一个培养周期

4、内试管芽增殖倍数,即单芽培养一个周期后的平均增殖芽数。3.4壮苗培养healthierseedlingsculture将增殖的丛生芽苗切分成单芽,转接入新鲜培养基中,使之生长茁壮的培养过程。3.5生根培养rootingcultrue诱导无根试管苗产生根的过程。11DB21/TXXXXX—20123.6试管苗seedlingsinvitro通过植物组织培养产生的离体小植株。3.7组培苗seedlingsoftissueculture试管苗经过驯化后产生的完整植株。3.8丛生芽proliferationbud由多个基部相连的离体小芽组成的一团芽。3.9试管苗炼苗domestica

5、tionofseedlingsinvitro将试管苗及培养容器一起移至室外近自然环境中培养的过程。3.10试管苗驯化accliminationofseedlingsinvitro炼苗后的试管苗,移栽到驯化基质中的过程。3.13试管苗移栽transplantationofseedlingsinvitro将驯化后的组培苗种植到温室或扦插棚移栽基质中,生长健壮并逐渐适应自然条件下生长的过程。3.14定植planting将移栽后的组培苗种植在圃地的过程。1 外植体的采集与处理1.1 外植体的采集1.1.1 5月~6月,选择连续3天以上的晴天,选取2年~3年生优良母树,采取无病虫害的幼

6、嫩枝条做为外植体。1.1.2 当天采集,当天处理。若需长途运输,需备好装有冰块的保鲜盒以保存外植体。1.2 外植体消毒11DB21/TXXXXX—20121.1.1 将取回的外植体枝条剪去叶片,将其切成3cm~5cm的茎段,流水冲洗2h~3h,用15倍液新洁尔灭浸泡2min~3min,然后用清水冲洗干净。再切分顶芽、茎段,并用蒸馏水冲洗3次~4次,转至无菌室。1.1.2 在超净工作台上,将切好的茎尖、茎段用75%的乙醇浸泡30s后,用无菌水冲洗3次。1.1.3 用0.1%升汞消毒液浸泡材料(茎尖3min~5min,茎段6min~8min)后,用无菌水冲洗6次~8次并无菌滤纸吸

7、干水分后,切成1cm~2cm的顶芽或单芽茎段备用。1.1.4 使用的升汞消毒液应按照国家有关剧毒化学药品使用的法规进行处理,可参见《医疗用毒性药品管理办法》(中华人民共和国国务院第23号令)。见附录C。1.1.5 0.1%升汞配制:称取1g升汞,加蒸馏水溶解,定溶至1L。2 培养基的配制2.1 培养基的选择诱导培养基为MS+6-BA1mg·L-1+NAA0.2mg·L-1;继代培养基为MS+6-BA0.5mg·L-1+NAA0.2mg·L-1;壮苗培养基为MS空白培养基(MS0);生根培养基为1/2MS

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