10kV电力电缆技术规范标准

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1、10kV电力电缆技术规范....目录1 规范性引用文件12 技术参数和性能要求13 标准技术参数34 使用环境条件表75 试验76 产品标志、包装、运输和保管8....10kV电力电缆技术规范1 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB311.1 高压输变电设备的绝缘配合GB/T2951 电缆和光缆绝缘和护套材料通用试验方法GB/T2952 电缆外护层GB/T3048.10 电线电缆电性能试验方法第10部分:挤出护套火

2、花试验GB/T3048.12 电线电缆电性能试验方法第12部分:局部放电试验GB/T3956 电缆的导体GB/T6995 电线电缆识别标志方法GB/T11019 电缆用铝带GB/T12706.2 额定电压1kV(Um=1.2kV)到35kV(Um=40.5kV)挤包绝缘电力电缆及其附件 第2部分:额定电压6kV(Um=7.2kV)到30kV(Um=36kV)电缆GB/T14315 电力电缆导体用压接型铜、铝接线端子和连接管GB/T19001质量管理体系要求GB/T19666 阻燃和耐火电线电缆通则JB/T8137电线电缆交货盘2 技术参数和性能要求2

3、.1 电缆结构2.1.1 导体导体表面应光洁、无油污、无损伤屏蔽及绝缘的毛刺、锐边,无凸起或断裂的单线。导体应为圆形并绞合紧压,紧压系数不小于0.9,其他应符合GB/T3956的规定。800mm2以下导体应采用紧压圆形导体结构;800mm2的导体可任选紧压导体或分割导体结构,1000mm2及以上应采用分割导体结构。2.1.2 挤出交联工艺导体屏蔽、绝缘、绝缘屏蔽应采用三层共挤工艺,全封闭化学交联。绝缘料采用交联聚乙烯料,半导电屏蔽料采用交联型材料,绝缘料和半导电料从生产之日到使用不应超过半年。生产厂家提供对产品工艺制造水平的描述,包括干式交联流水线方

4、式,生产设备中的测偏装置、干式交联,冷却装置的描述等。2.1.3 导体屏蔽导体屏蔽应为挤包的半导电层,电阻率不大于1000W·cm。半导电层应均匀地包覆在导体上,并与绝缘紧密结合,表面光滑,无明显绞线凸纹,不应有尖角、颗粒、烧焦或擦伤的痕迹。标称截面积为500mm2及以上电缆导体屏蔽应由半导电带和挤包半导电层复合组成。2.1.4 绝缘绝缘标称厚度tn为4.5mm,绝缘厚度平均值应不小于标称值,任一点最小测量厚度应不小于标称厚度tn的90%。任一断面的偏心率[(最大测量厚度-最小测量厚度)/最大测量厚度]应不大于10%。电缆的绝缘偏心度应符合下式规定:

5、(tmax-tmin)/tmax≤10%式中 tmax——绝缘最大厚度,mm;tmin——绝缘最小厚度,mm。....tmax和tmin在绝缘同一断面上测得。2.1.5 绝缘屏蔽绝缘屏蔽为可剥离或不可剥离挤包半导电层,电阻率不大于500W·cm,半导电层应均匀地包覆在绝缘表面,表面应光滑,不应有尖角、颗粒、烧焦或擦伤的痕迹。从老化前后的试样绝缘上剥下挤包半导电屏蔽的剥离力应不小于8N和不大于45N,绝缘表面应无损伤及残留的半导电屏蔽痕迹。三芯电缆绝缘屏蔽与金属屏蔽之间应有沿缆芯纵向的相色(黄绿红)标志带,其宽度不小于2mm。2.1.6 金属屏蔽2.1

6、.6.1金属屏蔽应由一根或多根金属带、金属编织带、金属丝的同心层或金属丝与金属带的组合结构组成。2.1.6.2 金属屏蔽中铜丝的电阻应符合GB/T 3956的要求。铜丝屏蔽的标称截面积应根据故障电流容量确定。2.1.6.3 铜丝屏蔽由疏绕的软铜线组成,其表面应用反向绕包的铜丝或铜带扎紧,相邻铜丝的平均间隙应不大于4mm。2.1.6.4 铜带屏蔽由一层重叠绕包的软铜带组成,绕包连续均匀、平整光滑、没有断裂,铜带间的平均搭盖率应不小于15%(标称值),其最小搭盖率应不小于5%。软铜带应符合GB/T 11091,铜带标称厚度为:——三芯电缆:≥0.10mm

7、。铜带的最小厚度应不小于标称值的90%。2.1.6.5 标称截面积为500mm2及以上电缆的金属屏蔽应采用铜丝屏蔽结构,金属屏蔽中铜丝的电阻应符合GB/T3956的要求。2.1.7 内衬层与填充内衬层可以挤包或绕包,圆形绝缘线芯电缆只有在绝缘线芯间的间隙被密实填充时,才允许采用绕包内衬层,挤包内衬层前允许用合适的带子扎紧。挤包内衬层的近似厚度应符合GB/T12706.2的要求,有防水要求时,宜选用PE内衬层。采用与电缆运行温度相适应的非吸湿性材料填充,应密实、圆整,并保证在成品电缆段附加老化试验后不粉化,三芯成缆后外形应圆整。2.1.8 金属铠装金属

8、铠装分为金属带和金属丝两种。金属带铠装采用双层镀锌钢带或涂漆钢带,螺旋绕包两层,外层钢带的中间大致在内层钢带

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