模电单元测验题胡宴如(3版)答案.doc

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1、模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。7．光电二极管能将光信号

2、转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。8．测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。1．2单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(C)。A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D)构成。A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B)。A．减小B．基本不变C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将(C)。A．增大B．基本不变C．减小5．变容二极管在电路中主要用作(D)。、A

3、．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3是非题1．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。(×)4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×)1．4分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。24解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0＝(6—0.7)V＝5.3V。(b)令二极管断开，可得UP＝6V、UN＝10V，UP

4、反向偏压而截止，U0＝10V。(c)令V1、V2均断开，UN1＝0V、UN2＝6V、UP＝10V，UP—UN1>Up—UN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U0＝0.7V。2．电路如图T1．2所示，二极管具有理想特性，已知ui＝(sinωt)V，试对应画出ui、u0、iD的波形。解：输入电压ui为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u0＝0，而流过二极管的电流iD＝ui／R，为半波正弦波，其最大值IDm＝10V／1kΩ＝10mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD＝0，u0＝ui为半波正弦波。因此可画出电压u0电流

5、iD的波形如图(b)所示。3．稳压二极管电路如图T1．3所示，已知UZ＝5V，IZ＝5mA24，电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关S断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA2＝0，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6V。第2章半导体三极管及其基本应用

6、2．1填空题1．晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型，它工作时有2种载流子参与导电。2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。4．当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO增大，导通电压UBE减小。5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数β约为99。6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电

7、流IC不得超过10mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过20mA；当工作电流IC=2mA时，UCE不得超过30V。7．场效应管从结构上可分为两大类：结型、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。8．UGS(off)表示夹断电压，IDSS表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。2．2单选题1．某NPN型管电路中，测得UBE=0V，UBC=—5V，则可知管子工作于(C)状态。A．放大B．饱和C．截止D．不能确定242．根据国产半导体器件型号

8、的命名方法可知，3DG6为(B)。A．NPN型低频小功率硅晶体管B．NPN型高频小功率硅晶体管C．PNP型低频小功率锗晶体管D．NPN型低频大功率硅晶