磁控溅射镀膜机技术要求.doc

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1、磁控溅射镀膜机技术要求设备用途能够进行磁控溅射、蒸发，基片台可用射频电源加负偏压对基片进行反溅清洗活化、辅助溅射功能。该设备主要用来开发纳米级导电膜、半导体膜、绝缘膜以及镍、钴磁性膜等。主要技术指标真空腔室304优质不锈钢真空腔室，上开盖结构；观察窗1套真空系统涡轮分子泵+直联旋片泵准无油真空系统，数显复合真空计真空极限优于8.0×10-5Pa抽速从大气抽至6.0×10-3Pa≤15min基片台尺寸最大可镀基片尺寸/面积：Ф100mm范围内可装卡各种规格基片基片加热与旋转基片台加热：室温～400℃，PID控温；基片旋转：0-

2、20转/分钟连续可调；基片台有负偏压装置，可切换射频电源反溅清洗样片溅射靶及电源2英寸圆形平面靶1只，靶的角度可调，1对水冷蒸发电极；配冷却循环水机；该靶兼容直流溅射/中频溅射/射频溅射；配2000VA直流溅射电源1台、500VA射频溅射电源1台、2000VA直流蒸发电源1台工作模式向上溅射（基片台在腔室顶部，靶在腔室底部）膜厚不均匀性≤±5%（靶材匹配范围内）报警及保护对泵、靶、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统设备质保需要供应商提供不少于1年的设备免费保修服务。1