电子科大-微机原理课件-chap5.pdf

电子科大-微机原理课件-chap5.pdf

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1、第五章存储器系统5.1存储器件的分类存储介质(存储原理)、读写策略(存取方式)5.2半导体存储芯片基本结构(RAM、ROM)、性能指标5.3存储系统的层次结构1.存储系统的分层管理2.地址映射技术3.现代计算机的多级存储体系5.4主存储器设计技术u存储芯片选型u存储芯片的组织形式容量扩展;并行、多端口、联想(改善主存的访问速度和吞吐量)u地址译码技术决定芯片片选信号的实现两级译码;全译码、部分译码、线译码;固定、可变u存储器接口设计1/542012/1/21不同的存储原理双极型:存取速度快,但集成度低,一般用于大型计算机或高速微机的Cache;易失性静态

2、SRAM速度较快,集成度较低,存储器一般用于对速度要求高、MOS型而容量不大的场合(Cache)半导体存储器动态DRAM集成度较高但存取速度较低,一般用于需较大容量的场合(主存)。掩膜ROM非易失性一次性可编程PROM存储器紫外线可擦除EPROM电可擦除E2PROM快闪存储器FLASH磁介质存储器磁带、软磁盘、硬磁盘(DA、RAID)光介质存储器只读型、一次写入型、多次写入型2/542012/1/21不同的读写策略一.数据访问方式–并行存储器(ParallelMemory)–串行存储器(SerialMemory)二.数据存取顺序1.随机存取(直接存取)可

3、按地址随机访问;访问时间与地址无关;2.顺序存取(先进先出)FIFO、队列(queue)3.堆栈存储先进后出(FILO)/后进先出(LIFO);向下生成和向上生成;实栈顶SS、堆栈指针SP;3/542012/1/21堆栈的生成方式4/542012/1/21堆栈建立与操作示例PUSHAX1234POPAX1AB1堆栈地址存储单元PUSHBX1AB1段起10200H堆栈堆栈POPBX123410200H始地10202H段起段起10200H10202H址10204H始地始地10202H10204H10206H址址10204H10206H10206H10208H

4、10208H10208H1020AH……1020CH……栈底……栈顶1022CH1AB11022CH1AB1及1022EH1234栈顶10230H00111022EH1234初始栈底栈顶SS102010230H0011(栈底)10230H0011SS1020SS1020SP初值0030SP000000223EC0SP00000022C3E0(a)向下生成堆栈的(b)入栈操作(c)出栈操作建立及初始化(实栈顶)(实栈顶)5/425/542012/1/21静态RAM的六管基本存储单元1.T1和T2组成一个双稳态行选择线触发器,用于保存数据。+5VT3和T4为

5、负载管。2.如A点为数据D,则B点T5T3T4T6为数据/D。CDAB3.行选择线有效(高电平)T1T2时,A、B处的数据信息通过门控管T5和T6送至C、D点。T7列选择线T84.列选择线有效(高电平)时,C、D处的数据信I/OI/O息通过门控管T7和T8送集成度低,但速度快,价格高,至芯片的数据引脚I/O。常用做Cache。6/542012/1/21动态RAM的单管基本存储单元1.电容上存有电荷时,表示存储行选择线数据A为逻辑1;T1BA2.行选择线有效时,数据通过存储T1送至B处;电容C3.列选择线有效时,数据通过T2送至芯片的数据引脚I/O;刷新放

6、大器4.为防止存储电容C放电导致数T2据丢失,必须定时进行刷新;列选择线I/O5.动态刷新时行选择线有效,而集成度高,但速度较慢,价列选择线无效。(刷新是逐行进行的。)格低,一般用作主存。7/542012/1/21RAM芯片的组成与结构(一)地址线存储芯片容量标为“M*N”(bit)数据线D0D0DN-1DN-10,0……0,N-1a0(A0字线0d0数三D0A地地a1位位d据态D1址址11……线…线…缓双…寄…译0N-1冲向A存码M-1,0……M-1,N-1dN-1器)DN-1L-1器器aM-1字线M-1…读写控制逻辑R/WCE控制线1.该RAM芯片外

7、部共有地址线L根,数据线N根;2.该类芯片内部采用单译码(字译码)方式,基本存储单元排列成M*N的长方矩阵,且有M=2L的关系成立;8/542012/1/21RAM芯片的组成与结构(二)存储芯片容量标为“M*1”(bit)D00,0D0DN-10,N-1DN-1XXX0…A0地地X1A1……址址……寄译数据线A存码N-1,0…N-1,N-1n-1X(器器N-1数三D据态D0缓双D冲向Y…Y0N-1器)Y地址译码器地址线…控制线Y地址寄存器…AnAn+1A2n-1读写控制1.该RAM芯片外部共有地址线2n根,数据线1根;2.该类芯片内部一般采用双译码(复合

8、译码、重合选择)方式,基本存储单元排列成N*N的正方矩阵,且有M=22n=N2的

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