湖南大学期末考试题第二次上机.pdf

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1、第二次上机二极管V-I特性曲线2.0复习绘制电路图绘制如图2-0所示的电路图图2-0电路图2.1绘制出电路图1.首先建立一个项目test2,然后绘制出如图2-1所示的电路图。其中电压源的元件编号为V1，二极管元件编号为D1N4002。2.默认电压源的DC元件属性为0，不要改动。图2-1测量二极管V-I特性曲线的电路图2.2设置参数1.新建Simulation（Pspice->NewSimulationprofile）命名simu1，打开NewSimulation对话框，对它的设置如图2-2所示。2.在此设置了主扫描变量为电

2、压源V1，由-120V开始扫描到10V，每隔0.01记录一点。3.设置完毕后，单击确定按钮退出对话框。图2-2DCSweep设置2.3存档并执行仿真1.单击保存按钮进行存档。2.单击按钮启动Pspice程序执行仿真，这时候屏幕会自动打开Probe窗口。2.4观察仿真结果1.选择TraceAddTrace功能菜单选项或者是按钮。在TraceExpression栏内输入I(D1)，如图2-3所示。然后用鼠标左键单击OK按钮退出对话框。也可以直接在Nodesnames下的I(D1)双击鼠标左键。这样就打开如图2-4所示的Pro

3、be窗口。图2-3AddTraces对话框2.现在调整横坐标和纵坐标轴坐标以观测门槛电压值。选择PlotAxisSettings功能菜单选项，如图2-5所示设置。并将YAxis页内的DataRange栏下的UserDefined值设置为0-5A。然后单击OK按钮，就打开如图2-6所示的Probe窗口，，就可以看出门槛电压为0.75V。图2-4二极管V-I特性曲线图2-5设置AxisSettings对话框图2-6二极管门槛电压3.再将横轴定为-105V到-95V，将纵轴坐标定为-5A到5A，现在将看到Probe窗口如图2-

4、7所示，，可以看出雪崩电压为100V。图2-7二极管雪崩电压2.5修改D1N4002的参数1.在图9-1所示的电路上用鼠标单击选定二极管，然后选择EdiitPspiceMode功能菜单选项，这样就打开了如图2-8所所示OrCADModelEditor窗口。2.将生成的模拟文件test2-SCHEMATIC1-simu1.dat文件名改为test2-2SCHEMATIC1-simu1.daat。将IS=14.11E-9改为IS=14.11E-10。然后保存，然后选择FileExit，关闭退出窗口。3.然后运行Pspice

5、执行仿真，同样设置如下：将XAxis页内的DataRange栏下的UserDefined值设置为0-5V，并将YAxis页内的DataRange栏下的UserDefined值设置为0-5A。然后单击OK按钮退出设置。4.这样就打开一个Probe窗口，选择FileAppendWaveform选项或者是单击按钮，将test2-2SCHEMATIC1-simu1.dat文件调出，这样Probe窗口内就出现了两条曲线，可以对此进行对比。如图2-9所示。图2-8OrCCADModelEditor窗口图2-9两个V-I特性曲线对比