电子线路(线性部分)第3章场效应管.ppt

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1、第三章场效应管场效应管是利用电场效应来控制电流大小（电压控制电流源），与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。场效应管有两种:结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS1§3.1MOS场效应管MOS场效应管有增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两大类；每一类又有N沟道和P沟道两种导电类型。一、增强型（EMOS）场效应管1、结构与工作原理（N沟道）2G：栅极，S：源极，D：漏极，U：衬底极（一般与S极相连接）（1）VDS=0VGS=0（对应截止区）→VGS↑→VGS(th)（开启电压）……出现了导电沟道（反型层）3（2）0

2、)VGS>VGS(th)时，出现了ID………VGS↑→ID↑，VDS↑→ID↑4（3）由VGD=VGS-VDS，当VGD=VGS(th)时，即VDS=VGS-VGS(th)，出现了预夹断VGS>VGS(th)，VDS≥VGS-VGS(th)……VDS↑→ID基本不变52、伏安特性（与三极管比较）1）场效应管的D、G、S相当于C、B、E2）场效应管是电压控制器件，栅流基本为0。3）场效应管利用多子导电（单极型），故受外界影响小。4）场效应管的D、S可互换6输入特性：（转移特性）输出特性：1)非饱和区：VGS>VGS(th)，VDS≤VGS-VGS(th)相当于三极管的饱和区2)饱和

3、区：VGS>VGS(th)，VDS≥VGS-VGS(th)相当于三极管的放大区3)截止区：VGS＜VGS(th)4)击穿区：VGS或VDS太大7二、耗尽型场效应管（DMOS）1、结构与工作原理与EMOS相似，差别仅在于预先已在衬底表面扩散了一薄层与衬底相反的掺杂区，作为漏、源区之间的导电沟道。2、伏安特性输入特性：（转移特性）输出特性：（与EMOS同）89四、小信号模型电路模型：10§3.2结型场效应管一、结构及工作原理（N沟道）P区：高掺杂N区：低掺杂111、VGS＝0，VDS为正电压ID随VDS正向增长122、VGS为负电压，VDS为正电压VGS越负，沟道变窄，ID随VDS增

4、长变慢13143、VGS＝VP（夹断电压），ID不随VDS变化(很小）154、由VGD=VGD-VDS，当VGD＝VGS(off)，即VDS≥VGS-VGS(off)时，出现了预夹断，ID也不会随VDS变化1617二、特性曲线与DMOS类似181)非饱和区：VGS>VGS(off)，VDS≤VGS-VGS(off)（相当于三极管的饱和区）2)饱和区：VGS>VGS(off)，VDS≥VGS-VGS(off)（相当于三极管的放大区）3)截止区：VGS＜VGS(off)4)击穿区：VGS或VDS太大19试判别下面场效应管的类型：20