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时间:2020-03-26
《单源真空共蒸发制备CuInS2光伏薄膜.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、专研究方向:电王挝型皇堇盔学2011年5月25日GRADUATECANDIDATE:XIEJUNYESUPERVISOR:PROELIJIANSPECIALTY:PHYSICALELECTRONICSOBJECT:PHOTOVOI几~ICMATERIALANDTECHNoLOGYSchoolofPhysicalScienceandTechnology,INNERMoNGoLIAUNIVERSITY,HOHHOT,010021,P.R.CHINA25May,2011在校期间研究成果使用承诺书本学位论文作
2、者完全了解内蒙古大学有关保留、使用学位论文的规定,即:内蒙大学有权将学位论文的全部或部分保留并向国家有关机构、部门送交学位论文的复印件和磁盘,允许编入有关数据进行检索,也可以采用影印、缩印或其他复制手段保存、汇编学位论文。为保护学院和导师的知识产权,作者在校期间取得的研究成果属于内蒙吉大学。作者今后使用涉及在校期间主要内容或研究成果,须征得内蒙古大学就读期间导师的同意,若要用于发表论文,版权单位必须署名为内蒙古大学方可投稿或公开发表。学位论文作者签名:—蚶指导教师签名:日期:一.一浏.LS二L日期:丝
3、.摘要单源真空共蒸发制备CulnS2薄膜,氮气保护对薄膜进行适当的热处理。研究不同劬、砌、s元素配比和热处理条件对薄膜性能的影响。采用x射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜、光电子能谱仪、手动轮廓仪、双光束紫外一可见分光光度计、四探针测试仪等对薄膜的晶相结构、表面形貌及粗糙度、化学成分、膜厚、光、电性能等进行测试表征。实验给出蒸发用的c“、砌、S混合粉末中s原子比X的选择极为重要(实验选0.2≤X≤2),本研究中最好的混合粉末原子配比为1:0.1:1.2,可制出黄铜矿结构的CulnS:多晶薄
4、膜。热处理前,CulnS2薄膜结晶状况较差含有C“"砌oo,S的混合相,经401YC热处20min后,薄膜的微结构明显得到改善。薄膜沿[112]晶向择优生长,平均晶粒尺寸38.06nm,厚度454.8nm,表面平整致密,表面算术平均粗糙度13nm。CulnS,薄膜表面与体内元素的Cu、In、S化学计量比分别为1:2.4:1和1:0.9:1.5,偏离标准化学计量比约3.2%和0.8%。CulnS,薄膜的光吸收系数105cm~,直接光学带隙1.42eV,导电类型P型,电阻率4.8×10之Q.cm。‘当热处
5、理温度升到440。C,处理lOmin,CulnS:薄膜的晶相结构不变,表面及体内元素的化学计量比增大,比标准偏离约8.8%、3.3%,II分别为1:6.2:0.6和1:2.3:0.8。因晶格中间隙砌的出现使薄膜的导电类型变成Ⅳ型。薄膜的光吸收系数降至104cm~,光学带隙变窄为1.39eV、电阻率1.3x10-2Q.cm。关键词:单源真空共蒸发,CulnS:薄膜,热处理,薄膜特性IIIeffectsofCu--In--Smixedratiosandheat--treatmentconditionson
6、propertiesofthinfilmswerestudied.Thecrystallinestructure,surfacemorphologyandroughness,chemicalcomposition,filmthickness,opticalandelectronicpropertiesofthinfilmswerecharacterizedbyX—raydiffraction,atomicforcemicroscope,scanningelectronmicroscopywithene
7、rgydispersiveanalysis,X—rayphotoelectronspectrum,manualprofiler,ultraviolet-visiblespectrophotometer,four-probemeter,respectively.ExperimentalresultsshowthatappropriateSatomicratio,definedasX,isanimportantfactor.Inthispaper,Xvaluewaschoseninrangefrom0.2
8、to2andtheoptimalratioofCu—In—Sis1:O.1:1.2.TheCulnS2thinfilms.whichweredepositedundertheoptimalratio,showedchalcopyritecrystallinestructural.Thethinfilmswithnon—annealingpresentdeficiencyincrystallizationandhaveCul.71110.05Smixedp
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