射频磁控溅射制备MoS2薄膜及其储锂性能研究.pdf

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1、第30卷第9期无机化学学报Vo1.30No.92014年9月CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY2043,2O48射频磁控溅射制备MoS2薄膜及其储锂性能研究王丽秀魏林陶占良陈军(南开大学先进能源材料化学教育部重点实验室,化学化工协同创新中心,天津300071)摘要:采用射频磁控溅射法,在Ar气.H2S混合气氛中,以MoS靶材为原料,在泡沫铜基底上制备了MoS:薄膜。利用X射线衍射(XRD1、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM1、能量弥散X射线谱fEDS)等手段对样品的结构、形貌和成分进行了表征,并探讨了靶功率和基底温度对MoS,薄膜的结构及形貌

2、的影响结果表明.靶功率的增加可以提高薄膜结晶度.但功率过高会造成薄膜的龟裂;基底温度升高会使MoS,薄膜结晶度明显提高,且形成蠕虫状形貌靶功率为80W,基底温度为300oC时,可以制备得到具有较高结晶度的蠕虫状MoS,薄膜。对其进行充放电测试表明.在100mA.g-1的电流密度下,其首次放电比容量为980mAh·g~,经过40周循环,容量可保持为约920mAh·g-,容量保持率达到93.9%。关键词:MoS薄膜;射频磁控溅射;锂离子电池。中图分类号:0613.51;TM912.9文献标识码:A文章编号:1001—4861(2104)09—2043—06DoI:1O.11862/CJ

3、IC.2014.293LithiumStoragePerformanceofMoS2ThinFilmsDepositedbyRFMagnetronSputteringWANGLi—XiuWEILinTAOZhan—LiangCHENJun(KeyLaboratoryofAdvancedEnergyMaterialsChemistry-MinistryofEducation,CollaborativeInnovationCenterofChemicalScienceandEngineering,NankaiUniversity,Tianjin300071,China)Abstract

4、:MoS2thinfilmsweredepositedonCufoamsubstratebyradio-frequency(RF)magnetronsputteringinAr—H2Smixedatmosphere.XRD,SEM,EDSandRamanspectroscopywereusedtocharacterizethestructure,morphologyandcompositionoftheMoSzthinfilms.TheeffectsoftargetpowerandsubstratetemperatureonMoS2thinfilmswerediscussed.Th

5、eresuhsshowthatthecrystallinityofMoS2thinfilmswasimprovedwiththeincreasingoftargetpowerandsubstratetemperature,andthemorphologychangeofMoS2thinfilmstoworm-likenanowires.Worm-likeMoS2thinfilmswithfinecrystallizationweresynthesizedunderthetargetpowerof80Wandsubstratetemperatureof300℃.Theelectroc

6、hemicaltestresultsshowthattheinitialdischargespecificcapacitiesofworm-likeMoS2thinfilmsreach980mAh·g一atthecurrentdensityof100mA·g~.After40cycles,thedischargespecificcapacitiesweremaintainedatabout920mAh·g一withthecapacityretentioneficiencyof93.9%.Keywords:MoS2thinfilm;RFmagnetronsputtering;Li-i

7、onbattery便携式电子设备的尖端化和小型化.迫切需要具有比能量高、循环寿命长、质量轻等特点而备受关在智能卡、医疗器械、传感器、微电子与微机械系统注[1]。传统的石墨负极材料存在理论比容量低、安全等方面与之匹配的微电源。锂离子电池是2l世纪最性能欠佳等方面的缺点.无法满足高能量密度薄膜有潜力的储能装置之一.其中可充电薄膜锂电池因微电池的要求。为了满足实际应用的需求,需要开发收稿日期:2014.03.11。收修改稿日期:2014.0513。973计划(No.2011

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