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1、第27卷第2期无机化学学报V0l
2、27No.22011年2月CtIINESEJ0URNAL0FIN0RGANICCHEMISTRY298—302改进的两温区气相输运法合成碘化铅(PbI2)多晶赵欣,1金应荣2贺毅2(中国民用航空飞行学院研究生处,广汉618307)(西华大学材料科学与工程学院,成都610039)摘要:采用改进的两温区气相输运合成方法(MTVTM)合成PbI多晶原料,简化了合成工艺,有效避免了合成安瓿爆炸。XRD分析结果表明:新方法合成的PbI2多晶原料纯度高,具有2H结构,mZ空间群,晶格常数a=b=0.
3、4560nm,c=0.6979nm。以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长出电阻率达10Q·CITI的PbI2单晶体。关键词:碘化铅;多晶合成;气相输运;晶体生长中图分类号:0612.4;0613.44;077文献标识码:A文章编号:1001—4861(2011)02—0298—05ModifiedTwo-ZoneVaporTransportingMethodforPblzPolycrystalSynthesisZHAOXinJINYing—RongHEYifGraduateDepartment,CivilAviat
4、ionHightUniversityofChina,G~ghan,Sichuan618307,China)(2SchoolofMaterialsScienceandEngineering,XihuaUniversity,Chengdu610039,China)Abstract:High-·purityandsingle--phasePbI2polycrystalsweresynthesizedbyamodifiedtwo—-zonevaportransportingmethod(MTVTM).Themethodiseas
5、yinoperationandcaneffectivelypreventtheampoulefromexploding.XRDresultsindicatethatthestructureofPbI2crystalis2HwithhexagonalspacegroupofP3ml,thelatticeconstantsofaandCare0.4560nmand0.6979nm.respectively.WiththePbI2polyerystalobtainedinthiswork,anintegralandhighre
6、sistivity(about10”n·emmagnitude)PbI2singlecrystalwasobtainedbyVerticalBridgmanmethod(VBM).Keywords:PbI2;polyerystalsynthesis;vapor—transporting;crystalgrowth0引言的应用与发展目前,国内对PbI,晶体的研究报道较少,其生长技术尚不成熟,应用受到限制。因此,开碘化铅(PbI2)~体是一种具有直接跃迁宽带隙的展对PbI,多晶合成与单晶生长的深入研究是非常化合物半导体.禁带
7、宽度约为2.3~2.5eV,电阻率高,必要的。原子序数大.载流子迁移率寿命积高。对高能射线具高纯、单相的PbI多晶原料是生长高质量PbI有较高的阻止本领用Phi,制成的探测器可在室单晶体所必须具备的先决条件.这在前期的研究工温下工作.使用温度范围宽,与目前研究比较深入的作中已经得到了广泛证实[5-71早期用于PbI单晶生HgI,、CdSe、GaAs等探测器相比,PbI:探测器在这方长的多晶原料主要来源于以下几条途径:①商业公面具有非常明显的优点[41。因此,PbI晶体已成为近年司提供;②水溶液化学反应合成;③碘、铅单质熔
8、体来重点研究的室温核辐射探测器新材料之一。反应合成通常,由前两条途径直接获得的PbI多对PbI,晶体已有较深入的研究,但由于很难获晶原料纯度不高.需经过多次提纯才能用于单晶生得高品质的PbI,晶体。PbI,探测器并没有得到广泛长l8_101.不仅工艺复杂.而且所生长的单晶体品质较收稿日期:2010—08—16。收修改稿日期:2010.10.26。l~Jll省科技厅基金(No.2010ZR0123)~1中国民用航空飞行学院科研基金(No.J2009_81)资助项目。通讯联系人。E—mail:cdzhaoxin@yahoo.
9、cn第2期赵欣等:改进的两温区气相输运法合成碘化铅(PbI11多晶差.无法满足器件制作的需求Matuch0va等⋯憎采1-2PbI,多晶合成用熔体反应法合成PbI,多晶,由于高温下碘蒸汽采用高纯(99.9999%)的碘、铅单质为原料,按化压较高.该方法极易发生合成安瓿爆炸而使其应用学计量比并适量富Ph进行配料.通过改
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