氨法脱硫中的氨逃逸和硫酸铵气溶胶现象.pdf

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1、第40卷第5期化工设计通讯2014年10月ChemicalEngineeringDesignCommunications·35·氨法脱硫中的氨逃逸和硫酸铵气溶胶现象王志雅(上海互联环保工程技术中心,上海200086)摘要:分析在氨法脱硫工程中出现氨逃逸和硫酸铵气溶胶的机理,提出防止或减轻氨逃逸和硫酸铵气溶胶现象的办法。关键词:氨法脱硫;氨逃逸;气溶胶;液气比中图分类号:X701畅3文献标志码:B文章编号:1003‐6490(2014)05‐0035‐04NH3Escapingand(NH4)2SO4AerosolFormingintheAmmoniaDesulfurizat

2、ionProcessWANGZhiya‐(ShanghaiHulianEnvironmentalProtectionEngineeringTechnologyCenter,Shanghai200086,China)Abstract:AnalyzecausesoftheNH3escapingand(NH4)2SO4aerosolforminginammoniadesulfurizationprocess,proposethemethodofpreventingandmitigatingthephenomenon.Keywords:ammoniadesulfurization;

3、NH3escaping;aerosol;liquid‐gasratio烟气氨法脱硫在国内已有十年商业推广的历一大批氨法脱硫公司。这种情势对于探索适合我史。因其不排放固废及污水,不增加碳排量,副国国情的烟气处理技术,无疑具有积极的意义。产品硫酸铵具有商业价值等优点,受到许多企业但是母庸讳言,目前多数氨法脱硫工程并没有达特别是需要处理废氨的工厂的青睐。氨法脱硫已到预期效果,有些问题还比较突出,例如过多的有众多工程业绩,积累了许多经验,同时催生了氨逃逸和硫酸铵气溶胶问题,这些问题也曾经困收稿日期:2014‐08‐30作者简介:王志雅(1946-),男,江苏南京人,高级工程师,长期

4、在化工企业及设计院从事化工设备及压力容器设计工作,近年主要从事烟气脱硫等环保工程的设计及总承包管理。中,只要合成塔第一床层入口温度超过260℃,指标,保证液氮洗出口工艺气合格。同时加强各氨合成就开始有反应。此次合成塔第一床层入口系统之间的沟通,当前系统指标不合格时,合成温度升到350℃时,一段床热点温度为354℃,控制室可及时调整,采用塔前放空的方法将合成说明已经开始进行氨合成反应。逐渐提高第一床系统隔离,合成塔保温保压,待指标合格后再接气。层入口温度,直至407℃,热点温度达到490(2)操作人员加强控制室监控,及时对指标℃,在此期间恒温30min,催化剂活性逐渐恢进行调

5、优,尽可能减小气量波动对催化剂床层的复。随着氨合成反应的进行,逐渐将反应生成的冲击。开车过程中,严格控制升温、升压速率,水带出,氧化了的催化剂逐渐还原,于19点30特别是在不使用开工加热炉升温时,要避免床层分左右,系统恢复正常。温度大幅度波动。由于此次只造成合成塔第一床层催化剂中(3)装置负荷大幅度波动时,尽可能提高入毒,只需要还原第一床层即可,如果三个床层都塔气体温度和降低入塔气体氨含量,避免催化剂中毒的话,需要像原始开车那样逐层升温还原。床层“垮温”现象的发生。(4)装置停工检修阶段,合成系统要充氮保4合成塔垮温预防措施护,氮气纯度要合格,如需检修,必须要在无氧(1)前

6、系统净化工段优化操作,控制好工艺环境下作业,防止催化剂中毒。·36·化工设计通讯第40卷扰国外氨法脱硫的发展,亟待深入探讨并妥善解氨法脱硫工程中,选择液气比的控制因素不应该决。是脱硫传质速率,而应该是氨的挥发率,或者称氨的挥发度,也就是业内通常所称的氨逃逸率。1氨逃逸如果为了满足较高的排烟温度而故意减小液这里所述的氨逃逸专指气态氨随烟气排出脱气比就更糟糕了。想要维持排烟温度在60℃以硫装置的现象。在氨法脱硫工程中,通常造成氨上,势必将使液气比非常小,结果只能导致由于逃逸严重的主要原因是脱硫循环液中游离氨含量液气比很小,氨逃逸严重;由于温度高,氨的气不够低。氨是极易挥发的物质

7、,常温常压下氨是相浓度高,促使氨逃逸量增加;由于温度高,脱气体。根据极稀氨水的气液平衡数据可以得知,硫液对二氧化硫的吸收效果下降,进而排放烟气常压下,在脱硫吸收塔喷淋区通常所处的温度中的二氧化硫含量增高。下,以55℃为例,当极稀氨水中氨的浓度仅为此外,亚硫酸铵氧化率低是造成氨逃逸严重-610×10时,气氨在溶液表面气相的浓度可达到的另一个原因。脱硫生成的亚硫酸铵是不稳定化-634×10。而且气相氨浓度随温度的升高增加显合物,如果不及时氧化成稳定的硫酸铵,容易分-6著。同样以液相氨浓度等于10×10为基准比解为二氧化

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