硫化镉量子点的合成及其光限幅效应.pdf

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1、物理化学学~(WuliHuaxueXuebao1208ActaP.-Chim.Sin.2012,28(1),208-212doi:10.3866/PKU.WHXB201228208www.whxb.pku.edu.cn硫化镉量子点的合成及其光限幅效应郑立思冯苗詹红兵(福州大学材料科学与工程学院,福州350108)摘要:采用胶体化学法制备了四种表面修饰有不同有机功能团的CdS量子点(QDs),利用透射电子显微镜(TEM)、紫外.~(UV-Vis)nA收光谱、光致发光(PL)光谱、开孔Z扫描技术分别研究了四种CdS样品的线性光学和非线性光学性能.结果表明:颗粒大小、表

2、面形貌和缺陷浓度是影响CdSQDs非线性光学性能的主要因素.关键词:硫化镉:表面修饰:光限幅;Z扫描中图分类号:0644SynthesisofCdSQuantumDotsandTheirOpticalLimitingEfectZHENGLi—SiFENGMiaoZHANHong—Bing(CollegeofMaterialsScienceandEngineering,FuzhouUniversity,Fuzhou350108,R.China、Abstract:FourkindsofCdSquantumdots(Qds)withfourdiferentsurface

3、-cappingorganicgroupswerepreparedbyacolloidalchemicalmethod.Thelinearandnonlinearopticalpropertiesofthematerialswerecharacterizedusingtransmissionelectronmicroscopy(TEM),ultraviolet-visible(UV-Vis)absorptionspectroscopy,photoluminescence(PL)spectroscopy,andZ-scanmeasurements.Theresult

4、sshowthattheparticlesize,thesurfacemorphology,andthedefectconcentrationarethemainfactorsthatdeterminethenonlinearopticalproperties.KeyWords:CdS;Surfacemodification;Opticallimiting;Z-scanmeasurement1引言小f1—10rim),但相应的非线性效应却并不显著,目在过去的几年里,半导体材料由于具有良好的前对半导体QDs在光限幅领域应用的研究较少.”被动光限幅性能,受到人们的广泛

5、关注.对于宏观尽管如此,溶液的自我修复功能和较大的光损伤阈块体材料而言,更多的研究兴趣在于其单光子诱导值,依然为我们研究溶液中半导体QDs的NLO性能自由载流子吸收引起的非线性光学(NLO)性能.近提供便利的条件.年来,半导体量子点(QDs)的合成、表征和应用受本文通过胶体化学法制备了四种CdSQDs,其到越来越多的关注.。半导体QDs的物理性能主要表面分别修饰有不同的有机基团,如图1所示.利用由激子空间禁闭引起.与宏观块体材料相比,QDs透射电镜(TEM)、紫外一可见(uv-vis)吸收光谱、荧光的量子尺寸效应导致线性吸收光谱发生蓝移.“理fPL)光谱、开孔z扫

6、描技术分别研究了四种CdS样论研究表明,金属纳米晶的三阶非线性极化率与其品的线性光学和NLO性能.半径的三次方成反比,颗粒尺寸越小,其三阶非线性极化率越大.对于半导体QDs,虽然其粒径非常2实验部分Received:June27,2011;Revised:October12,2011;PublishedonWeb:October28,2011.Correspondingauthor.Email:hbzhan@fzu.edu.cn;Tel:+86—591—22866512.TheprojectwassupportedbytheNaturalScienceFounda

7、tionofFujianProvince,China(2009J01241)福建省自然科学基金(2009J01241)资助项目⑥EditorialoficeofAcmPhysico—ChimicaSinicaNO.1郑立思等:硫化镉量了点的合成及其光限幅效应209OCH3入射光能量密度之间的关系,最终得到光限幅效应~s—一暑曲线.2.2MPS修饰CdSQDsfCdS-MPS)$1J备R囤R:一s。H取MPS的DMF溶液f0.02mol·L~,120mL)与R氯化镉的水溶液(2mol·L~,1.5mL)混合,搅拌15min后,向其中逐滴滴加硫化钠水溶液(1.07mo

8、l·R:一

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