高孔隙率电气石陶瓷治理焦化废水的研究.pdf

高孔隙率电气石陶瓷治理焦化废水的研究.pdf

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1、第44卷第1期煤化工Vo1.44No.12016年2月CoalChemicalIndustryFeb.2016高孔隙率电气石陶瓷治理焦化废水的研究聂万军,陈甜,陈子瑛z,吴圣财s,曹南萍(1.江西省萍乡弘源煤化工有限公司,江西萍乡337022;2.江西省工业陶瓷工程技术中心,江西萍乡337022;3.江西省萍乡陶瓷产业基地管委会,江西萍乡337022)摘要针对普通电气石陶瓷用于水处理气孔率不高、吸水率低的问题,开发了一种高孔隙率电气石陶瓷。介绍了高孔隙率电气石陶瓷的制备过程,分析了其处理废水的原

2、理。二者用于处理某焦化厂焦化废水的实验结果显示,采用高孔隙率电气石陶瓷处理后的1废水氨氮和酚的脱除率,较普通电气石陶瓷处理后的脱除率分别提高了23.40%和14.32%,2废水的氨氮和酚的脱除率分别提高了6.56%和2.00%。关键词电气石,陶瓷,高孔隙率,焦化废水,氨氮,酚文章编号:1005—9598(2016)一01—0044—03中图分类号:X703文献标识码:A电气石经热处理后,与硅藻土、沸石等复合,可制质页岩占38%~46%、电气石占30%~38%、含硼助熔剂占成电气石陶瓷,电气石陶瓷

3、具有良好的吸附及降解能16%--20%、纳米黏土占4%~8%的配比进行实验。同时,参力,可用于大气和水体污染的治理。目前国内外开发照文献[1]制备普通电气石陶瓷作为对比,其配比为:的电气石陶瓷,气孔率不高,吸水率低于30%,用于水电气石40%,不含硼的助熔剂38%,高岭土22%。处理,效果不尽如人意。制备工艺:将配料先湿法细磨混合,经脱水、制粉江西省工业陶瓷工程技术中心开发了一种高孔后搪粒成形,于730℃~790℃烧制成高孔隙性电气隙性电气石陶瓷,利用材料的高气孔率,增大与废水石陶瓷。高孔隙性电

4、气石陶瓷与普通电气石陶瓷的产接触面积,促进电气石与废水中有害物的吸附与降品性能及显微结构对比见表1和图1。解,并将其用于焦化废水中氨氮和酚的处理,取得了表1高孔隙率电气石陶瓷与普通电气石陶瓷的性能对比较好的效果。吸水率体密度耐酸度}/kg·}高孔隙性电气石陶瓷的制备高孔隙率电气石陶瓷8O.1086096.09普通电气石陶瓷20.95201098.73原材料的选择和处理:以蛋白石轻质页岩为主体材料,其他原料包括纳米黏土、含硼高效助熔块和耐碱度抗压强度比表面积/%/MPa/m。·g一不含硼熔块(细度

5、均为325目)以及微米级电气石高孔隙率电气石陶瓷91.296.1037.9粉。蛋白石轻质页岩须先经风选机干法除杂(粗选)普通电气石陶瓷95.0158.85.1后湿法分级(精选),再经酸洗精制和水洗涤除酸后,即可供使用。由表1和图1可知,高孔隙率电气石陶瓷具有更高孔隙性电气石陶瓷的配比:以少量有机物(如大的比表面积,且富含大量连续分布的微孔和孤立的PVA)为成形助剂,木炭粉作造孔剂,按照精制蛋白石轻粗孔,而普通致密型电气石陶瓷只有少量孤立的大孔。收稿日期:2015--09—27作者简介:聂万军(1

6、988一),男,湖北荆州,助理工程师,学士,2010年本科毕业于武汉科技大学化学工程与工艺专业,现从事煤化工生产与环保管理工作,E-mai1:272579849@qq.com。通迅作者:曹南萍(1964一),男,湖南衡阳,研究员,学士,1985年本科毕业于景德镇陶瓷学院材料工程专业,现从事环保、节能陶瓷的技术开发和产品推广应用工作,E-mail:npcaO64@sina.como——46——煤化工2016年第1期做进一步净化,实现废水的达标排放。目前高孔隙率[5]谢兰英,刘斌,黄富,等.电气石复

7、合材料滤嘴棒电气石陶瓷正处于试生产阶段。成形纸降低卷烟烟气有害成分研究[J].中华纸业,4.2高孔隙率电气石陶粒降解焦化废水具有工艺简2009,30(10):60—63.[6]闫哗,张鹏.纳米二氧化钛光催化降解含酚废水单、无须再生等特点;如能辅以简单的搅拌、曝气、添的研究[D].北京:北京化工大学,2008:54—56.加H20。以形成Fenton反应、投放反硝化菌株等,可望[7]孟庆杰,张兴祥,王学晨.不同结构电气石微粉对酸溶取得更好效果。液和碱溶液性质的影响[J].硅酸盐学报,2006,34

8、(4):470—475.参考文献:[8]张凯,黄春保,黄晓敏.矿物粉体对水体的活化作用[1]曹南萍.电气石陶瓷制备中相关问题探讨[J].中国非[J].湖北农业科学,2007,46(2):225—227.金属矿工业导刊,2013(2):13—15.[9]安永磊,张兰英,张阳,等.热处理电气石多功能净[2]蒋鸿辉,黄新.江西白云山电气石粉体对水pH值的水性能[J].吉林大学学报(地球科学版),201i,41(i):影响和机理研究[J].河南科技,2009(11):39—40.235—249.[3]安

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