欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:52398340
大小:850.08 KB
页数:5页
时间:2020-03-27
《TMAH溶液中的(110)硅各向异性湿法腐蚀及其在不同添加剂下的腐蚀特性研究.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第24卷第2期传感技术学报V01.24No.2CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORS2011年2月Feb.2011AnisotropicWetEtchingBehaviorsandCharacteristicsof(110)-OrientedSiliconinTMAHSolutionwithDifferentSurfactantsCHENJiao,DoNGPeitao,DIDt,WUXuezhong(CollegeofMechatronicsEngineeringand
2、Automation,NationalUniversityofTechnology,Changsha410073,China)Abstract:Thispaperstudiestheanisotropicwetetchingbehaviorsof(110)-orientedsiliconwafersthroughsmallopeningsofdiferentgeometryetchedinTMAHsolution.TheetchingcharacteristicsinTMAHsolutionwithd
3、iferentsurfactants(ammoniumpersulfate,IPA,etc.)arealSOdiseussedindetail.SEMisusedtoobservethestructuresofetchedcavitiesandSPMisusedtomeasuretheroughnessofthe(110)surface.Itisshowedthatthestructuresoftheetchedcavitiesareafectedbytheshapeoftheopeningsandt
4、heetchingtime.Theetchedcavityiscomposedofsix(111)orientedplanes,fourofwhichareperpendicularsidewallsandtheothertwoareinclinedwith35.26。angletothewafersurface,whentheetchingtimeislongenough.AmmoniumpersalfateandIPACanbothimprovethequalityoftheetchedsurfa
5、ceremarkably.Keywords:anisotropicwetetching;(110)一orientedsilicon;TMAH;ammoniumpersulfate;IPAEEACC:2550doi:10.3969/j.issn.1004—1699.2011.02.006TMAH溶液中的(110)硅各向异性湿法腐蚀及其在不同添加剂下的腐蚀特性研究半陈骄,董培涛,邸荻,吴学忠(国防科技大学机电工程与自动化学院,长沙410073)摘要:研究了TMAH溶液中(110)硅片在不同几何形状掩膜窗口
6、下的各向异性湿法腐蚀行为,探讨了(110)硅在TMAH与不同添加剂(过硫酸铵、异丙醇等)构成的腐蚀系统下的腐蚀特性。利用场发射扫描电子显微镜(SEM)观测(110)硅的腐蚀坑腔结构,利用扫描探针显微镜(SPM)测量(110)硅腐蚀的表面粗糙度。结果表明:(110)硅片腐蚀的坑腔结构与掩膜窗口的大小和腐蚀时间有关;在充分腐蚀的情况下,(11O)硅片腐蚀的坑腔结构是由四个与表面垂直的(111)面和另外两个与表面成35.26。夹角的(111)面围成的结构;过硫酸铵和异丙醇能显著改善腐蚀表面质量。关键词:湿法
7、各向异性腐蚀;(110)硅;TMAH;过硫酸铵;异丙醇中图分类号:TN304.5;TN405文献标识码:A文章编号:1004-1699(2011)02—0185—05硅的各向异性湿法腐蚀技术已经有20多年的最常用的硅的各向异性腐蚀液是EPW(己二胺+发展历史,作为MEMS器件制造常用的一种加工技邻苯二酚水溶液)、KOH水溶液和TMAH(四甲基氢术,硅的各向异性湿法腐蚀技术可以用来在硅衬底氧化铵)水溶液。EPW腐蚀过程的可控性差,且有上加工出多种多样的结构。DRIE干法刻蚀是在制剧毒,故不常用。KOH水
8、溶液具有腐蚀表面质量作高深宽比结构时采用较多的一种工艺,但是其加好、腐蚀速率易控制等优点,但它在反应中引入工设备非常昂贵,并且在侧壁陡直度的控制上也需金属离子会影响微结构的性能,与MOS集成电路工要较多的工艺摸索与实践。相比之下,硅晶体结构艺的兼容性差,而且对SiO:氧化层的腐蚀速率较决定了(110)晶向的硅片在湿法腐蚀工艺中可以自高,因此在应用上受到一定的限制。然的形成高深宽比的侧壁陡直结构,成本较低,已经相比之下,TMAH腐蚀液无毒,不引人金属离有了
此文档下载收益归作者所有