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《新型低功耗CMOS片上温度传感器设计.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第24卷第7期传感技术学报VolI24No.72011年7月CHINESE】OURNALOFSENSORSANDACTUATORSJuly2011DesignofNewLow-PowerConsumptionon-ChipCMOSTemperatureSensorLINRong,CAIMin,HUANGWeichao,LIZhengping,1.SchoolofElectronicandInformationEngineering,SouthChinaUniversityofTechnology,Guangzhou510640,China\2.GuangzhouRunx
2、inInformationand?bchnologyCo.,Ltd.,Guangzhou510663,China,Abstract:InordertomeasurethetemperatureoftheVLSIchipsurfaceaccurately,monitorthecircuitworkstateandprotectfromover—heating,anewcircuitconfigurationhasbeenadoptedtodesignthetemperaturesensorinthiswork.Firstly,thedifferencebetweenthe
3、base—emittervoltageAVBEoftwobipolartransistorshasaP11ATcharacteristicsandsuchacharacteristicscanbeusedtomeasurethetemperature.Secondly.thePTATcurrentfromthebiascircuitimagecanbeusedtocontrolthethree-orderringoscillator,SOthatanoscillatingsignalwiththefrequencyinproportionaltothetemperatu
4、reisgenerated.Finally,adigitalcircuitisusedtomeasurethefrequencyand8bitdigitaldatawhichrepresentsthetemperature.ThesensorisdesignedbyTSMC0.13txmCMOSprocess.Thelayoutareaisonly0.02mm.Thepowerconsumptionis0.3W(100sample/S).Thepost—layoutsimulationresultshowsthatthemeasureprecisionis±3.5oC(
5、aftercalibration)inthetemperaturerangefrom一60oCto160℃.Thistemperaturesensorhasthemeritsof:lowpower.highprecisionandsmalllayoutarea.ThecircuitwillbeusedontheWiMAX/LTETransceivertomeasuretheon—chiptemperature.Keywords:CMOS;temperaturesensor;lowpowerconsumption;transceiver;WiMAX/LTEEEACC:72
6、30doi:10.3969/j.issn.1004—1699.2011.07.010新型低功耗CMOS片上温度传感器设计水林荣,蔡敏,黄伟朝,李正平,1.华南理工大学电子与信息学院,广州510640;、\2.广州润芯信息技术有限公司,广州510663』摘要:为了精确的测量超大规模集成电路芯片表面的温度,监控电路工作状态和进行过热保护,采用一种新型CMOS片上温度传感器结构。首先利用两个衬底PNP管的基一射电压差△的PTAT特性来感测温度,然后利用偏置电路镜像过来的PTAT电流来控制一个三阶的环型振荡器,产生频率与温度成正比的振荡信号,再利用测频电路转化为8位数字。利用0
7、.13mCMOS工艺设计,版图面积仅为0.02mm。功耗为0.3tLW(100sample/S)。后版图仿真结果显示,在一60oC到160℃温度范围内的测量精度为±3.5℃(校准后)。该电路具有低功耗、高精度和芯片面积小等优点。该电路将用于WiMAX/LTE收发信机芯片上,对芯片表面温度进行监控。关键词:CMOS;温度传感器;低功耗;收发信机;WiMAX/LTE中图分类号:TP212.11文献标识码:A文章编号:1004—1699(2011)07—0981—05随着集成电路技术的发展,集成度迅速提高,芯E—AADC得到数字输出,该文献报道
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