基于忆阻器的混沌电路研究.pdf

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1、《电气开关》(2013．No．6)63文章编号：1004—289X(2013)06—0063—04基于忆阻器的混沌电路研究吴迪，胡岩(沈阳工业大学电气学院，辽宁沈阳110870)摘要：忆阻器被认为是除电阻、电感、电容外的第四种基本电路元件，是一种有记忆功能的非线性电阻。用sim．ulink软件对其VI特性进行仿真。混沌现象是一种确定性的非线性运动，在非线性控制领域，混沌电路的设计则是混沌技术研究和应用的基础，采用一种新型的非线性元件(忆阻器)对一种典型的产生混沌现象的电路一一蔡氏混沌电路进行分析研究

2、，并且与原蔡氏电路波形进行比较，观察其变化。关键词：忆阻器；simulink；蔡氏电路；pspice中图分类号：TM13文献标识码：BResearchonMuddyCircuitBasedontheMemoryResistorDi．HUYah(ElectricalCollege，ShenyangUniversityofTechnology，Shenyang110870，China)Abstract：Thememoryresistorisregardedasthefourthbasiccomponen

3、tbesidesresistance，inductanceandcapaci-tance，whichisanonlinearresistancewithmemoryfunction．ThepaperusessimulinksoftwaretosimulateitsVIcharac-teristic．Themuddyphenomenonisakindofdeterministicnonlinearmotion．Innonlinearcontrolfield，thedesignofthemuddycir

4、cuitisthebasisofmuddycircuittechnologystudyandapplicationthepaperadopts—newkindofnonlinearcomonentforcircuitofproducingmuddyphenomenonanalysisandstudyofCaiSmuddycircuit，andcomparewithformerCaiScircuitwaveform，watchingitschange．Keywords：memoryresistance

5、；simulink；Caiscircuit；papice其未来的展望做出论述。Strukov_4等最早提出边界1引言迁移模型用于实现忆阻器具有的电路特性，认为电极基本电路理论中，常见的基本电路元件有：电阻、间的半导体薄膜(厚度D)由于基体中载流子浓度不电感、电容。这些元件的特性是用电压、电流、磁通和同而分为低电阻的高掺杂浓度区和高电阻的低掺杂浓电荷这4个物理量来表示。1971年，蔡少棠(L．Chua)度区，结构两端加载的偏电压驱使高、低掺杂浓度区间先生指出应该有六个数学关系来联接这四个基本的物的边界

6、发生迁移，致使结构对外呈现随外加电压时间理量⋯。但现在只有五个确定的关系，从对称的观点作用而变化的电阻J，这部分理论认为，外偏压的施看，推i贝0出有第四种基本元件存在，称之为忆阻器，用加影响了载流子迁移过程，从而改变了迁移几率，导致来反映电荷和磁通之间的函数关系。2008年惠普实材料电阻状态发生变化而产生忆阻性。验室的成员成功地实现纳米级电子元件，已有文献报非线性电路中的混沌现象是最早引起人们关注的道了一些记忆器件的建模成果，例如文献[2]中只是现象之一，在非线性电路中能够得到很好的混沌实验综述了忆

7、阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程，实结果，蔡氏混沌电路就是一个典型的混沌电路。现忆阻功能的几种模型与机理。阐述了忆阻器和忆阻在理想条件下观察出现的波形，本文用忆阻器代替蔡系统在模型分析、生物记忆行为仿真、基础电路和器件氏电路中非线性部分，采用pspice对电路进行仿设计方面的应用前景。文献[3]是对忆阻器的应用及真¨，其波形与理想的蔡氏电路波形进行比较。68《电气开关》(2013．No．6)通过阻抗的实际测量，与基准值比较，对于阻抗增输出信号与输入信号的自反馈耦合，或者从系统外部长异常的电池报警，

8、明显的内阻变化表明蓄电池有大强迫注入某一周期信号，或者直接将系统自身的输出的性能改变，超过一定的百分比即可报警，业务人员可信号取出一部分经过一定的时间延迟后再反馈到原混以及时地把劣化电池去除。沌系统中去．作为控制信号，通过调节控制因子及控制信号的大小实现稳定控制。(3)传感应用：混沌具有初值敏感性，当其结构参数稳定时，初始值与动力轨道在一定的时间内是一一对应的，而且对于微小的初值变化，其运动轨迹就会出现指数分离。若初值细微变化是由混沌系统中的传感元件随被测参数变化而引