RDN8804双N沟道MOS可替PE5A0DZ-骊微电子

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1、深圳市骊微电子科技有限公司RDN8804Dual-NChannelEnhancementModePowerMOSFET现货TEL:13808858392杜SGENERALDESCRIPTIONTheproductutilizesthelatesttrenchprocessingtechniquestoachievethehighcelldensityandreducestheon-resistancewithlowgatecharge.Thesefeaturescombinetomakethisdesignanextremelyefficientandreliabled

2、eviceforuseinhighcurrentloadapplications.FEATURES●20V/25A,RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=4.5V(typical)●HighdensitycelldesignforultralowRdson●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent●ExcellentpackageforgoodheatdissipationAPPLICATIONS●Loadswitchinhighcurrentapplications●PowerManagementforInverterSy

3、stems●BatteryProtectionPINDESCRIPTIONVersion1.01stCGE-Tech深圳市骊微电子科技有限公司RDN8804AbsoluteMaximumRatings(Tc=25ºCUnlessOtherwiseNoted)SymbolParameterLimitUnitVDSDrain-SourceVoltage20VVGSGate-SourceVoltage±12VContinuousDrainTc=25ºC25IDACurrentTc=100ºC15IDMPulsedDrainCurrent100APDMaximumPowerDi

4、ssipation25WOperatingJunctionandStorageTemperatureTJTSTG-55to+150ºCRangeRθJCThermalResistance-JunctiontoCase5.0ºC/WRθJAThermalResistance-JunctiontoAmbient40ºC/WElectricalCharacteristics(Ta=25ºCUnlessOtherwiseNoted)SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnitStaticCharacteristicsDrain-SourceBVD

5、SSVGS=0V,IDS=250uA20VBreakdownVoltageZeroGateVoltageIDSSVDS=20V,VGS=0V1uADrainCurrentGate-BodyLeakageIGSSVGS=±10V,VDS=0V±9uACurrentGateThresholdVGS(th)VDS=VGS,IDS=250uA0.30.61.0VVoltageVGS=4.5V,IDS=4A3.84.5Drain-SourceRDS(ON)mΩOn-stateResistanceVDS=2.5V,IDS=3A4.85.5Version1.02ndCGE-Tech深

6、圳市骊微电子科技有限公司RDN8804ElectricalCharacteristics(Ta=25ºCUnlessOtherwiseNoted)SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnitDrain-SourceDiodeCharacteristicsDiodeForwardVSDVGS=0V,ISD=25A1.2VVoltageTrrReverseRecoveryTimeISD=25A14nsQrrReverseRecoveryChargedi/dt=100A/us25nCDynamicCharacteristicsTd(on)Tur

7、n-onDelayTime6VDS=10V,RG=3Ω,TrTurn-onRiseTime12IDS=10A,nsTd(off)Turn-offDelayTimeVGS=4.5V,25TfTurn-offFallTime7CISSInputCapacitance1710VGS=0V,COSSOutputCapacitanceVDS=10V,450pFf=1.0MHzReverseTransferCRSS47Cap

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