二极管介绍与生产工艺.ppt

《二极管介绍与生产工艺.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、二极管介绍与生产工艺©USI.Allrightsreserved.ContentsList目录1.二极管简介.......................................................22.半导体的导电特性.................................................33.二极管的电气特性.................................................54.二极管的主要参数............

2、.....................................65.二极管应用电路...................................................85.1.二极管稳压电路.......................................................85.2.二极管检波电路.......................................................95.3.二极管钳位电路........

3、..............................................105.4.二极管整流应用......................................................116.二极管生产工艺流程..............................................146.1.半导体扩散工艺......................................................156.2.二极管制造中序

4、......................................................267.二极管生产问题分析..............................................308.二极管构造分类..................................................328.国产二极管型号命名..............................................339.各类型二极管常用检测法....

5、......................................341©USI.Allrightsreserved.二极管在电路中主要起稳压，检波，整流，钳位，限幅等作用。电流只能从二极管的正极流向负极普通二极管用符号D表示。二极管简介晶体二极管是由P型半导体和N型半导体烧结形成的P-N结界面。图为常见二极管外形及表示方法二极管的构成KindsofdiodesLightemittingdiode二极管的应用整流稳压钳位检波线路符号+-2ItemsImageCharacterization

6、Description半导体基本特性热敏性:温度升高，导电增强光敏性:光照增强，导电能力变化掺杂性:往纯净的半导体内掺入某些杂质导电能力明显改变本征半导体完全纯净半导体晶体为本征半导体。共价键中两个电子束缚在共价键中成为束缚电子常温热激发，价电子获得能量脱离共价键成为自由电子，留下空穴,称为本征激发外加电压时，空穴吸引临近电子来补，相当于空穴迁徙，电子和空穴数量很少，形成弱电流半导体导电特性3ItemsImageCharacterizationDescription杂质半导体N型掺入极高浓度五价元素

7、，自由电子浓度远大于空穴。自由电子称多子，空穴称少子P型掺入极高浓度三价元素，空穴浓度远大于自由电子。空穴称多子，自由电子称少子PN结导电特性PN结加正向电压，内电场削弱，多子形成扩散导通状态PN结加反向电压，少子漂移增强，少子的数量很少形成很小的反向电流，截止状态半导体导电特性4©USI.Allrightsreserved.正向电压很小未克服PN结内电场正向电流几乎为0电压大于死区电压PN结电场逐渐克服电流随电压增大上升PN结内电场完全削弱电流随电压增大上升二极管导通压降不变Voltage0~Vt

8、hVth>Vth正向特性二极管处于死区导通进行状态正常导通状态阈值电压Vth，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。正向导通压降硅管约为0.6~0.8V锗管的约为0.2~0.3V反向特性反向电压很小反向漏电流很小二极管反向截止反向漏电流受温度影响大于反向击穿电压反向电流突然增大失去单向导电性反向电击穿过热则永久损坏若未引起击穿过热则不一定损坏VoltageUbr>Ubr0~Ubr反向截止状态反向击穿击穿损坏常温下硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA