可控硅调压电路原理.doc

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1、可控硅调压电路原理_可控硅调压器电路图_晶闸管交流调压电路分析图1交流可控硅调压电路原理方框图  (1)整流电路采用桥式整流,将220伏,50赫兹交流电压变为脉动直流电。  (2)抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。  (3)可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。(4)张弛振荡器由单结晶体管和电阻组成。  (5)冲放电电路有电阻和可变电阻及电容组成。   图2交流可控硅调压电路的原理图  3.可控硅(晶闸管)交流调压电路工作原理  图中TVP抗干扰普通电源电路。采用双向TVP管子。它对于电网的尖脉冲

2、电压和雷电叠加电压等等干扰超过去额定的数值量,都能有效的吸收。  整流电路采用桥式整流,由4只二极管组成,D1,D2,D3,D4组成。双基极二极管组成张弛真振荡器作为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后220伏交流电通过负载电阻Rc,二极管D1到D4整流,在可控硅SCH的A,K两极形成一个脉动的直流电压。该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。在交流的正半周时,整流电路通过电阻R1,可变电阻W1对电容充电。当充电电压T1管的峰值电压Up时,管子由截止变为导通。于是电容C通过T1管的e1,

3、b1结和R2迅速的放电,结果在R2上获得一个尖脉冲。这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极,使可控硅导通。可控硅导通后的管压降很低,一般小于1伏,所以张弛振荡器停止工作。当交流电通过0点时,可控硅自行关断。当交流电在负半周时C又重新充电…周而复始。改变可变电阻的阻值可改变电容的冲放电时间,从而改变可控硅的导通时刻,来改变负载上的的输出电压。4.可控硅(晶闸管)交流调压电路元件参数的选择  (1)二极管D1,D2,D3,D4于300伏,整流电流大于0.3安的硅流二极管。型号2CZ21B,2CZ

4、83E。  (2)晶闸管选用正向与反向电压大于300伏,额定平均电流大于1安的可控硅整流器件。型号国产3CT。  (3)调压电位器选用阻值围470千欧的WH114—1型的合成炭膜电位器。  (4)电阻R1选用功率为1瓦的金属膜电阻。  (5)电阻R2,R3,R4选用功率为1/8瓦的炭膜电阻。5.这种交流可控硅调压电路特点  (1)具有调压功能,输出电压范围100到220伏;  (2)具有输出电压可调功能。可根据需要调节输出电压;  (3)所设计的电路具有的抗干扰功能。

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