半导体器件第八章.ppt

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1、第八章太阳电池和光电二极管8.2P-N结的光生伏特效应8.2P-N结的光生伏特效应P-N结光生伏特效应就是半导体吸收光能后在P-N结上产生光生电动势的效应。光生伏特效应涉及到以下三个主要的物理过程：第一、半导体材料吸收光能产生出非平衡的电子—空穴对；第二、非平衡电子和空穴从产生处向非均匀势场区运动，这种运动可以是扩散运动，也可以是漂移运动；第三、非平衡电子和空穴在非均匀势场作用下向相反方向运动而分离。这种非均匀势场可以是结的空间电荷区，也可以是金属—半导体的肖特基势垒或异质结势垒等。8.2P-N结的光生伏特效应图8-5P-N结能带图：（a）无光照平衡P-N结，（b）光照P-N结开路状

2、态，（c）光照P-N结有串联电阻时的状态。8.3太阳电池的I-V特性8.3太阳电池的I-V特性图8-6太阳电池理想等效电路8.3太阳电池的I-V特性首先考虑串联电阻=0的理想情况。在这种情况下，太阳电池的等效电路如图8-6所示。图中电流源为短路光电流。V-I特性可以简单地由图8-6所示的等效电路写出。式中为P-N结正向电流为P-N结饱和电流P-N结的结电压即为负载R上的电压降。（8-6）8.3太阳电池的I-V特性P-N结上的电压为在开路情况下，I=0，得到开路电压（这是太阳电池能提供的最大电压）在短路情况下（V=0），这是太阳电池能提供的最大电流。太阳电池向负载提供的功率为（8-9）

3、（8-7）（8-8）（8-10）8.6提高太阳电池效率的考虑8.6提高太阳电池效率的考虑在实际的太阳电池中，多种因素限制着器件的性能，因而在太阳电池的设计中必须考虑这些限制因素。图8-11在AM0和AM1条件下下的太阳光谱及其在GaAs和Si中的能量截止点8.6提高太阳电池效率的考虑只有大于的那部分能量可以被吸收。可见，越小越大从而越大。可被吸收的最大光子数在硅中为：,在GaAs中为：最大功率考虑太阳电池的最大输出功率由开路电压和短路电流所决定。由光谱考虑，发现随着的增加而减小。开路电压乘积会出现一极大值。由（8-5）（8-27）8.6提高太阳电池效率的考虑达到最佳设计，需要对掺杂浓

4、度和结深采取折衷。实际的接触是采用示于图8-14中的栅格形式。这种结构能够有大的曝光面积，而同时又使串联电阻保持合理的数值。图8-14P上扩散N的硅电池的简单结构8.6提高太阳电池效率的考虑表面反射采用抗反射层垂直入射时，反射比为，n1和n2分别为空气和半导体的折射率理想的抗反射层材料折射率应为。聚光聚光是用聚光器面积代替许多太阳能电池的面积，从而降低太阳能电池造价。它的另一个优点是增加效率。因此一个电池在1000个太阳强度的聚光度下工作产生的输出功率相当于1300个电池在一个太阳强度下工作的输出功率。8.6提高太阳电池效率的考虑从太阳光谱吸收的角度解释由不同禁带宽度子电池构成的叠层

5、太阳能电池转换效率更高的原因。8-9光电二极管8-9光电二极管光电二极管工作原理：光照反偏PN结，产生的光生载流子被空间电荷区电场漂移形成反向电流。光电二极管把光信号转换成了电信号。反向的光电流的大小与入射光的强度和波长有关。光电二极管用于探测光信号。8-9光电二极管P-I-N光电二极管图8-20P-I-N光电二极管的工作原理，（a）光电二极管的剖面图；(b）反向偏置时的能带图；（c）光吸收特性8-9光电二极管在长距离的光纤通信系统中多采用的双异质结P-I-N光电二极管中，P-InP的禁带宽度为1.35eV，对波长大于的光不吸收。的禁带宽度为0.75eV（对应截止时波长），在波段上表

6、现出较强的吸收。这样，对于光通信的低损耗波段，光吸收只发生在I层，完全消了扩散电流的影响，几微米厚的I层，就可就可以获得很高的响应度。具有良好的频率响应。