半导体基础知识课件.ppt

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1、第一章半导体二极管1.1半导体基础知识1.2半导体二极管的特性及主要参数1.3　二极管电路的分析方法1.3　特殊二极管1.3　半导体二极管特性的测试与应用1.1半导体基础知识物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。物质的导电特性取决于原子结构。导体一般为低价元素,如铜、铁、铝等金属,其最外层电子受原子核的束缚力很小,因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作用下,这些电子产生定向运动(称为漂移运动)形成电流,呈现出较好的导电特性。高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶,塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强

2、,极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子,所以其导电性极差,可作为绝缘材料。而半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚,成为自由电子,也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧,因此,半导体的导电特性介于二者之间。1.1.1本征半导体纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。常用的半导体材料是硅和锗,它们都是四价元素,在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。为便于讨论,采用图1-１所示的简化原子结构模型。把硅或锗材料拉制成单晶体时,相邻两个原子的一对最外层电子(价电子)成为共有电子,它们一方面围绕自身的原子核运动,另一方面又出现

3、在相邻原子所属的轨道上。即价电子不仅受到自身原子核的作用,同时还受到相邻原子核的吸引。于是,两个相邻的原子共有一对价电子,组成共价键结构。故晶体中,每个原子都和周围的４个原子用共价键的形式互相紧密地联系起来,如图１-２所示。图1–1硅和锗简化原子结构模型图1–2本征半导体共价键晶体结构示意图共价键中的价电子由于热运动而获得一定的能量,其中少数能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子,同时必然在共价键中留下空位,称为空穴。空穴带正电,如图1-３所示。图1–3本征半导体中的自由电子和空穴由此可见,半导体中存在着两种载流子：带负电的自

4、由电子和带正电的空穴。本征半导体中,自由电子与空穴是同时成对产生的,因此,它们的浓度是相等的。我们用n和p分别表示电子和空穴的浓度,即ni=pi,下标i表示为本征半导体。价电子在热运动中获得能量产生了电子-空穴对。同时自由电子在运动过程中失去能量,与空穴相遇,使电子、空穴对消失,这种现象称为复合。在一定温度下,载流子的产生过程和复合过程是相对平衡的,载流子的浓度是一定的。本征半导体中载流子的浓度,除了与半导体材料本身的性质有关以外,还与温度有关,而且随着温度的升高,基本上按指数规律增加。因此,半导体载流子浓度对温度十分敏感。

5、对于硅材料,大约温度每升高８℃,本征载流子浓度ni增加1倍；对于锗材料,大约温度每升高１２℃,ｎｉ增加1倍。除此之外,半导体载流子浓度还与光照有关,人们正是利用此特性,制成光敏器件。1.1.2杂质半导体1.Ｎ型半导体在本征半导体中,掺入微量５价元素,如磷、锑、砷等,则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。由于杂质原子的最外层有５个价电子,因此它与周围４个硅(锗)原子组成共价键时,还多余1个价电子。它不受共价键的束缚,而只受自身原子核的束缚,因此,它只要得到较少的能量就能成为自由电子,并留下带正电的杂质离子,它不能参与

6、导电,如图１-４所示。显然,这种杂质半导体中电子浓度远远大于空穴的浓度,即nn>>pn(下标ｎ表示是Ｎ型半导体),主要靠电子导电,所以称为Ｎ型半导体。由于５价杂质原子可提供自由电子,故称为施主杂质。Ｎ型半导体中,自由电子称为多数载流子；空穴称为少数载流子。图1-4N型半导体共价键结构2.P型半导体在本征半导体中,掺入微量３价元素,如硼、镓、铟等,则原来晶格中的某些硅(锗)原子被杂质原子代替。图1–5P型半导体的共价键结构P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质

7、原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。一、PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散1.1.3ＰＮ结最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。图1－6PN结的形成过程PN结形成的过程可参阅图1–6

8、。二、PN结的单向导电性如果外加电压使PN结中：P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。(1)PN结加正向电压时的导电情况