国产IGBT龙头突围,进口替代进行时.docx

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1、内容目录1.IGBT,电力电子装臵的“CPU”41.1.IGBT应用场景广泛41.2.IGBT两大工作特性51.3.IGBT行业三种商业模式62.新能车普及在即,车规级IGBT放量增长62.1.IGBT技术不断升级,SiCMOSFET性能更佳但短期难替代62.2.新能车临近普及拐点,工业级应用平稳增长92.3.车规级IGBT快速扩张,预计2025年国内市场152亿元113.国产IGBT龙头突围,进口替代有望加速推进123.1.车规级市场呈“双寡头”竞争格局,IGBT国产化亟待推进123.2.国际龙头技术和成本双优,但高费率下营业利润率较低143.2.1.国际

2、龙头技术领先约1代,产品覆盖的应用市场更广143.2.2.国际龙头毛利率占优,但营业利润率较低153.3.技术升级叠加扩产降本,进口替代有望加速163.3.1.政策与资本助力下,国内龙头加快产品技术研发163.3.2.产能扩张叠加技术进步,为自主厂商以价换量创造空间174.标的推荐184.1.比亚迪(汽车覆盖)184.2.斯达半导(电子覆盖)18图表目录图1:IGBT模块4图2:中国IGBT下游应用场景分布4图3:中国IGBT下游应用场景营收占比4图4:IGBT在新能源汽车中的应用类型5图5:IGBT结构示意图5图6:IGBT等效电路图5图7:IGBT产业链

3、及三种商业模式6图8:功率半导体技术演变图7图9:各代功率半导体器件性能对比7图10:各功率半导体电力技术路线图9图11:SiCMOSFET短期内难以取代IGBT9图12:中国新能源汽车销量预测10图13:IGBT在新能源汽车上的具体应用10图14:IGBT是新能源汽车充电桩的核心部件10图15:全球IGBT市场规模(亿美元)11图16:中国IGBT市场规模(亿元)11图17:国内车规级IGBT市场规模预测(亿元)12图18:2018年全球IGBT模块前十大厂商13图19:2019年中国车规级IGBT模块前十大厂商14图20:斯达半导营业成本构成15图21:

4、英飞凌与斯达半导毛利率15图22:英飞凌与斯达半导研发费用率16图23:英飞凌与斯达半导销售与管理费用率16图24:英飞凌与斯达半导营业利润率16图25:斯达半导自主研发IGBT采购量占IGBT采购总量比例17表1:IGBT历代特性8表2:三代半导体材料对比8表3:全球SiCMOSFET布局情况9表4:主要玩家IGBT产品对比141.IGBT,电力电子装臵的“CPU”1.1.IGBT应用场景广泛IGBT是电控系统中实现精准调控的“开关”。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)

5、和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,因此IGBT既有MOSFET驱动功率小、开关速度快的特点,又有BJT饱和压降低、载流密度大的优势。简单来说,可以把IGBT看成是一个非通即断的开关器件,通时为导线,断时为开路,能够根据工业装臵中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装臵的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在众多领域应用极广。图1:IGBT模块资料来源:五金机电网,IGBT按照电压等级分为三类,下游应用场景广泛。根据工作电压的高低,

6、IGBT模块一般被划分为三类:低压(600V以下)、中压(600V-1200V)和高压(1700V-6500V)。低压IGBT模块一般用于消费电子、汽车零部件领域;中压IGBT模块一般用于新能源汽车、工业控制、家用电器等领域;高压IGBT模块一般用于轨道交通、新能源发电、智能电网等领域。其中,新能源汽车领域需求的快速增长是高端IGBT市场规模增长最重要的驱动因素之一,根据中国产业信息网统计,2018年应用于新能源汽车的车规级IGBT市场规模已达IGBT整体市场规模的31%。图2:中国IGBT下游应用场景分布图3:中国IGBT下游应用场景营收占比资料来源:中国

7、产业信息网,资料来源:中国产业信息网,车规级IGBT是新能源汽车的核“芯”之一。IGBT芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”,是影响电动车性能的核心器件之一。在新能源汽车上,IGBT主要应用于电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统、充电系统等,主要具有以下功能:在主逆变器(MainInverter)中,IGBT将高压电池的直流电转换为驱动三相电机的交流电;在车载充电机(OBC)中,IGBT可将220V交流电转换为直流并为高压电池充电;除此之外,IGBT也广泛应用在DC/DC转换器、温度PTC、水泵、油泵、空调压缩机等系统中。图4:IGBT在新能源汽车中

8、的应用类型资料来源:汽车功率电子,1.1.IGBT两

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