微机原理第五版6-10章习题解答.doc

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1、第6章习题解答（P271）⒊依照编程方式的不同，ROM分为哪几类？各有何特点（重点说明E2PROM与FLASH存储器的区别）？解：依照编程方式的不同，ROM分为三类：⑴掩膜型ROM（ROM），其特点是：用户将要写入芯片的数据提供给芯片生产商，在生产该芯片的最后一道掩膜工艺时，将数据写入芯片，用户以后只能读出不能写入；⑵现场可编程ROM（PROM），其特点是：由于内部器件的一次性编程，不可再生特性，所以用户只可在现场一次性对芯片编程，不能更改；⑶可改写的ROM（EPROM），其特点是：用户可多次对其编程。其中用紫外线擦除再用电编程的EPROM，必须从用户板上拆下后用紫外线照射擦除，再用专

2、用编程器对其进行改写，使用不方便，目前很少使用；可用电擦除的E2PROM，可在用户板上用电信号对其进行字节或全部擦除和改写，使用很方便；FLASH是一种新型的电擦除EPROM，它具有E2PROM的所有特性，还具有集成度高，速度快，成本低等特点，是目前使用最广泛的ROM存储器。⒍对下列RAM芯片组排列，各需要多少个RAM芯片？多少个芯片组？多少根片内地址线？若和8088CPU相连，则又有多少根片选地址线？（1）1K×4位芯片组成16K×8位存储空间；解：当用单片容量为1K×4的RAM组成总容量为16K×8的存储器时：①需要的总芯片数为（16×1024/1×1024）×（8/4）=32（片

3、）②需要的芯片组数为16×1024/1×1024=16（组）③片内地址线数为log2(210)=10（根）④芯片组选择地址线数为log2(16×210)-10=4（根）（2）8K×8位芯片组成512K×8位存储空间。解：当用单片容量为8K×8位的RAM组成总容量为512K×8的存储器时：①需要的总芯片数为（512×1024/8×1024）×（8/8）=64（片）②需要的芯片组数为512×1024/8×1024=64（组）③片内地址线数为log2(8×210)=13（根）④芯片组选择地址线数为log2(512×210)-13=6（根）⒎某微机系统的RAM存储器由4个模块组成，每个模块的容

4、量为128KB，若4个模块的地址连续，起始地址为10000H，则每个模块的首末地址是什么？解：根据题意，128KB模块的末地址为217-1=1FFFFH，所以各模块的首末地址分别为：模块1首地址：10000H，末地址：10000H+1FFFFH=2FFFFH模块2首地址：30000H，末地址：30000H+1FFFFH=4FFFFH模块3首地址：50000H，末地址：50000H+1FFFFH=6FFFFH模块4首地址：70000H，末地址：70000H+1FFFFH=8FFFFH⒏设有4K×4位SRAM芯片及8K×8位EPROM芯片，欲与8088CPU组成16K×8位的存储器空间，请

5、问需要此SRAM及EPROM多少片？它们的片内地址线及片选地址线分别是多少根？假若该16K×8位存储器空间连续，且末地址为FFFFFH，请画出SRAM、EPROM与8088CPU的连线，并写出各芯片组的地址域。解：⑴根据8088CPU的特点，可以用4K×4位SRAM芯片组成8K×8位SRAM，作为随机存取存储器，则需要4K×4位SRAM（8K/4K）*（8/4）=4片，再用1片8K×8位EPROM芯片，作为只读存储器。⑵4K×4位SRAM的片内地址线有lg2(4×210)=12（根）8K×4位EPROM的片内地址线有lg2(8×210)=13（根）⑶假若该16K×8位存储器空间连续，且

6、末地址为FFFFFH，则各芯片地址分配：8KROM的末地址：FFFFFH，首地址为：FFFFFH-1FFFH=FE000H4K×8位SRAM2#末地址：FDFFFH，首地址为：FDFFFH-FFFH=FD000H4K×8位SRAM1#末地址：FCFFFH，首地址为：FCFFFH-FFFH=FC000H⑷画出SRAM、EPROM与8088CPU的连线图l确定片选线CBA芯片内地址芯片A19A18A17A16A15A14A13A12…A2A1A0111111　0000….0004K×8位SRAM2#111111　0011….1114K×8位SRAM2#111111　0100….0004K×

7、8位SRAM2#111111　0111….1114K×8位SRAM2#111111　1000….0008KROM111111　1111….1118KROMl画出逻辑电路图但是，上述电路不能满足8088自启动，需将8K×8位SRAM移到地址00000H-01FFFH。（包含中断向量区）第7章习题解答（P310）⒈　80386、80486共有哪几种工作模式？答：80386有实模式和保护模式两种工作模式；80486有实模式、保护模式和虚拟8086模式