电子行业深度：半导体设备，国内需求增长，国产替代进展提速.docx

《电子行业深度：半导体设备，国内需求增长，国产替代进展提速.docx》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、内容目录一、中芯国际上市，加速设备国产替代进程5二、设备市场：大陆需求快速增长，国产替代提速62.1全球设备市场回暖，受益于制程进步、产能投放62.2前道设备占主要部分，测试需求增速最快102.3全球市场受海外厂商误导，前五大厂商市占率较高122.4国内需求爆发，国产替代进展加速14三、光刻机：半导体制程工艺核心环节，将掩膜板图形缩小16四、涂胶显影：与光刻机配合，实现图形转移19五、刻蚀设备：等离子刻蚀复杂程度高，且步骤逐渐增加23六、薄膜设备：用于沉积物质，在设备市场占比较高28七、清洗设备：去除晶圆片表面杂质，各制程前后均需使用30八、掺杂设备：改变表层电导率/形成PN结，实现器件30

2、九、氧化形成器件，快速退火修复晶格32十、过程控制：制造过程的准确性检测33十一：测试设备：用于测试晶圆片及成品36十二、投资建议38十三、风险提示38图表目录图表1：募集资金用途（单位：万元）5图表2：中芯国际重要的产业链地位5图表3：中芯国际一站式的解决方案5图表4：中国“芯”阵列6图表5：全球半导体设备销售额（十亿美元）7图表6：全球半导体设备销售额（十亿美元）7图表7：半导体设备市场增速周期性7图表8：海外半导体设备龙头营业收入增速跟踪8图表9：海外半导体设备龙头GAAP净利润（百万美元）8图表10：晶圆代工企业资本开支（百万美元）9图表11：全球半导体资本开资（百万美元）9图表12

3、：100K产能对应投资额要求（亿美元）10图表13：半导体制造领域典型资本开支分布10图表14：全球半导体设备按工艺流程划分（百万美元）11图表15：全球半导体前道设备划分（百万美元）11图表16：全球半导体测试设备划分（百万美元）12图表17：集成电路前道工艺对应设备12图表18：AMAT、LAM、TEL主导大部分前道工艺13图表19：全球半导体设备厂商排名（百万美元）13图表20：五大设备厂商行业格局（百万美元）13图表21：国内晶圆厂投资规模（亿元）14图表22：国产设备替代进程15图表23：全球晶圆厂资本开支（百万美元）15图表24：国内晶圆厂内资投资需求（亿元）16图表25：国内晶

4、设备厂商空间测算（亿元）16图表26：光刻机技术特点17图表27：光刻机技术路径17图表28：光刻机技术示意图17图表29：EUV目标市场范围18图表30：Foundry和DRAM精度仍然会不断提升18图表31：两次技术分水岭奠定光刻机格局19图表32：光刻工艺流程20图表33：半导体图案转移关键步骤20图表34：光刻胶原理21图表35：光刻胶市场规模21图表36：光刻胶生产企业21图表37：涂胶显影市场（百万美元）22图表38：涂胶显影市场格局22图表39：去胶机市场（百万美元）23图表40：刻蚀工艺分类24图表41：刻蚀类别25图表42：刻蚀设备步骤增加25图表43：刻蚀市场主要驱动力将

5、来自于存储26图表44：多重成像技术26图表45：刻蚀步骤逐渐增加27图表46：干法刻蚀市场（百万美元）27图表47：刻蚀在晶圆设备市场比重提升27图表48：薄膜设备分类28图表49：CVD、PVD占晶圆设备比28图表50：典型CVD工艺流程29图表51：2018年沉积设备市场结构（百万美元）29图表52：清洗原理30图表53：清洗环节30图表54：扩散与离子注入31图表55：掺杂形成不同器件31图表56：离子注入机市场空间（百万美元）32图表57：离子注入市场份额32图表58：SiO2的用途32图表59：RTA修复晶格缺陷33图表60：氧化/扩散/热处理市场（百万美元）33图表61：区分过

6、程控制（检测、测量）和ATE（测试）34图表62：不同环节关键过程控制指标34图表63：过程控制细分市场（百万美元）35图表64：2018年过程控制市场格局——科磊WFE收入拆分35图表65：科磊产品系列35图表66：上海精测产品布局35图表67：集成电路生产及测试具体流程图36图表68：集成电路测试设备主要功能36图表69：全球半导体ATE测试设备市场37图表70：泰瑞达和爱德万半导体设备业务收入（亿美元）37图表71：2018年中国集成电路测试设备的市场结构37一、中芯国际上市，加速设备国产替代进程中芯国际回归A股，国产晶圆制造崛起。中芯国际公布将于科创板上市，拟发行16.86亿股募集2

7、00亿，国产晶圆制造龙头强势回归A股，募集资金主要投资于：（1）40%用于投资12英寸SN1项目（中芯南方一期）；（2）20%用于公司现金及成熟工艺研发项目的储备资金；（3）40%用于补充流动资金。图表1：募集资金用途（单位：万元）序号项目名称募集资金投资额拟投入资金比例112英寸芯片SN1项目800,000.0040.00%2先进及成熟工艺研发项目储备资金400,000.0020.00%3补充流动资金800