半导体器件课件.ppt

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1、电子基本技能实训电子元器件任何一个电子电路，都是由电子元器件组合而成。了解常用元器件的性能、型号规格、组成分类及识别方法，用简单测试的方法判断元器件的好坏，是选择、使用电子元器件的基础，是组装、调试电子电路必须具备的技术技能。下面我们首先分别介绍电阻器、电容器、电感器、继电器、晶体管、光电器件、集成电路等元器件的基本知识4半导体分离器件半导体分离器件包括二极管、三极管、场效应管等器件。这里重点介绍它们的分类方法、型号命名、测试方法及使用注意事项。4.1常用半导体分离器件的分类一．半导体二极管

2、二极管是利用半导体PN结的单向导电性制成的器件。在电路中主要用作整流、检波、稳压等。二极管的规格品种很多，按所用半导体材料的不同，可分为锗二极管、硅二极管和砷化镓二极管；按结构工艺不同，可分为点接触型和面接触型二极管；按工作原理分有隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等；按用途分有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等。二极管的参数主要有最大整流电流、正向导通压降、反向击穿电压、结电容、最高工作频率等。二．半导体三极管半导体三极管由两个PN结构成，有PNP和NPN型两种结构。

3、三极管的规格品种繁多，按照工作频率、开关速度、噪声电平、功率容量及其它性能可分为高频大功率管、高频低噪声管、低频大功率管、低频小功率管、高速开关管、功率开关管等；根据制造工艺的不同可分为合金晶体管、扩散晶体管、台面晶体管、平面晶体管等；按照制造材料分，有锗管和硅管。常用三极管的封装形式如图1.10所示三．场效应晶体管场效应管是利用外加电场使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘删型），或改变原来导电沟道大小（结型）来控制电导率的原理制成的。场效应管的栅极输入电阻很高，一般可达上百兆甚至几千兆

4、，因此，栅极上加电压时基本上不分取电流，另外，场效应管还有噪声低、动态范围大等优点。场效应管可以分为结型和绝缘删型两种图１.10常见三极管外形4.2半导体器件的命名方法一．我国半导体器件的命名方法根据中华人民共和国国家标准——半导体器件命名方法（GB249-74），器件型号由五部分组成，各部分的意义如表1.６所示。但场效应管、特殊半导体器件、PIN管、复合管和激光器件只用后三部分表示。第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器件的电极数目用汉语拼音字母表示器件材料和极性用汉语拼音字母

5、表示器件的类别用数字表示器件序号用汉语拼音字母表示规格号符号意义符号意义符号意义2二极管ABCDN型锗材料P型锗材料N型硅材料P型硅材料PVWCZLSNUK普通管微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分3三极管ABCDEPNP型锗材料NPN型锗材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料XGDAUK低频小功率管(fa>3MHZ,Pc<1w)高频小功率管(fa>3MHZ,Pc<1w)低频大功率管(fa<3MH,Pc≥1w)高频大功率管(fa≥3M

6、H,Pc≥1w)光电器件开关管IYBJ可控整流器体效应器件雪崩管阶跃恢复管CSBTFHPINJG场效应器件半导体特殊器件符合管PIN型管激光器件示例：（1）锗材料PNP型低频大功率三极管３AD50C规格号序号低频大功率管PNP型锗材料三极管示例：(2)硅材料NPN型高频小功率三极管3DG201B规格号序号高频小功率管NPN型、硅材料三极管二．国际电子联合会半导体器件命名法西德、法国、意大利、荷兰和比利时等欧洲共同体市场的国家以及匈牙利、罗马尼亚、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会规定的命名方

7、法。这种方法的组成部分及符号意义如表1.７所示(表格参考教材）。在表中所列四个基本部分后面，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。（1）稳压二极管型号的后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的允许误差范围，其字母的意义如下：符号ABCDE允许误差±1±2±5±10±15其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值，后缀第三部分是字母V，是小数点的代号；后缀第四部分是数字，表示标称稳定电压的小数数值。（2）整流二极管的后缀是数字，表示最大反向峰值耐压值和最大反向开断电压。国际电子联合会

8、半导体器件型号命名方法示例：AF239SAF239型某一参数的S档普通用登记序号高频小功率三极管锗材料4.3二极管和三极管的判别和选用一．半导体二极管极性的判别和选用（1）半导体二极管极性的判别一般情况下，二极管有色环的一端为负极，另一端为正极。根据二极管正向导通时导通电阻小，反向截止时截止电阻大的特点，可用万用表来判别其极性。将万用表拨到欧姆档（一般用R×100或R×1K档），用万用表的表笔分别接二极管的两个电极，测出一个电阻，然后将两表笔对换，再测出一个阻值，则阻值小的那一