半导体分立器件课件.ppt

半导体分立器件课件.ppt

ID:56973022

大小:2.41 MB

页数:99页

时间:2020-07-25

半导体分立器件课件.ppt_第1页
半导体分立器件课件.ppt_第2页
半导体分立器件课件.ppt_第3页
半导体分立器件课件.ppt_第4页
半导体分立器件课件.ppt_第5页
资源描述:

《半导体分立器件课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、第4章半导体分立器件4.1概述半导体分立器件种类繁多,通常可分为半导体二极管、晶体三极管、功率整流器件和场效应晶体管等。半导体二极管又可分为普通二极管和特殊二极管两种。普通二极管包括整流二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等。特殊二极管包括肖特基势垒管(SBD)、隧道二极管(TD)、位置显示管(PIN)、变容二极管、雪崩二极管等。晶体三极管包括锗管和硅管。功率整流器件主要包括晶闸管整流器(SCR)和硅堆等。场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两种。4.2半导体分立器件的型号命名中国半导体分立器件型号命名方法在国家标准《半导体分立器件型

2、号命名方法》(GB249-89)中进行了规定。该标准于1990年4月1日开始实施,并取代了原国家标准(GB249-74)。4.2.1中国半导体器件的型号命名第一部分:器件的电极数目,用阿拉伯数字表示,第二部分:材料和极性,用字母表示,第三部分:类别,用字母表示,第四部分:序号,用数字表示第五部分:规格号,用字母表示场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分。半导体分立器件4.2.2日本半导体器件型号命名日本晶体管型号按日本工业标准(JIS-C-7012)规定的半导体分立器件型号命名方法命名。其型号命名由五部

3、分组成:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型,第二部分:用S表示已在日本电子工业协会(JEIA)注册登记的半导体器件。第三部分:用字母表示器件使用材料、极性和类型,第四部分:用多位数字表示器件在日本电子工业协会(JEIA)的注册登记号,它不反映器件的任何特征,但登记号数越大,表示越是近期产品。第五部分:用字母A、B、C、D等表示这一器件是原型号产品的改进产品。日本半导体分立器件型号命名,有时也采用简化方法。即将型号前两部分省略,如2SD746简化为D746,2SC502A简化为C502A等。但也有时除五部分外,还附加有后缀字母及符号,以便进一

4、步说明该器件的特点。4.2.3美国半导体器件型号命名美国电子工业协会(EIA)的半导体分立器件型号命名由五部分组成。第一部分:用符号表示器件的类别,第二部分:用数字表示PN结数目,第三部分:用字母N表示该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。第四部分:用多位数字表示该器件在美国电子工业协会(EIA)的登记号。第五部分:用字母A、B、C、D等表示同一型号器件的不同档别。美国半导体器件型号的内容只能判断是二极管、三极管还是多个PN结器件,而无法判断其类型。同时,美国半导体分立器件还有不少是按厂家自己的型号命名方法进行命名,显得较乱。4.3半导体二

5、极管4.3.1二极管的概念1.二极管的构成半导体二极管是由一个PN结、欧姆接触电极(欧姆接触电极不构成PN结作用)引出线和管壳三部分构成的。半导体二极管按照其结构可分为点接触型二极管、面接触型二极管和硅平面开关管三类。(1)点接触型二极管点接触型二极管是由管心、引线和玻璃管壳组成。管心是一根金属触须(半径约为0.1mm的钨丝或金丝)压接在半导体晶体上,利用电形成工艺来获得PN结。点接触型二极管的主要特点是由于其PN结面积小,使得结电容很小,适用于在高频情况下工作,但不能通过很大的电流。故主要用于小电流整流或高频时的检波和混频等。砷化镓点接触型二极管

6、比硅、锗二极管可以工作在更高的频率范围内(即微波范围内)。(2)面接触型二极管面接触型二极管也是由管心、引线和金属壳组成。管心是面接触的,PN结用合金法形成。面接触型二极管的特点是由于其PN结面积大,允许通过大的正向电流,但它的结电容也大,故只能工作在较低的频率情况下,主要适用于大功率整流。硅平面开关管是一种较新的管型。二氧化硅是绝缘体,它相当于一保护层,用于保护PN结不受外界沾污,使二极管漏电流小,工作稳定。平面管的结面积较大时,可以通过较大的电流,适用于大功率整流。结面积较小时,PN结电容小,适用于在脉冲数字电路中作开关管。+N型硅P型硅二氧

7、化硅保护层(3)硅平面开关管-2.PN结的工作原理(1)PN结的单向导电性当PN结加正向电压时,即外加电源电压的正极接P区,负极接N区。由于外加电源电压产生的电场正好和阻挡层内正负离子产生的电场方向相反,使得阻挡层内总的电场减弱,破坏了漂移和扩散的平衡,扩散作用占了优势。于是P区的多数载流子空穴穿过阻挡层扩散到N区,形成空穴电流。同时,N区的多数载流子电子也穿过阻挡层扩散到P区,形成电子电流。PN结的正向电流即为二者之和。故PN结正向导电时,其正向电阻很小,正向电流很大,并且正向电流随外加电压的增加而增加。当PN结加反向电压时,由于外加电源电压在阻

8、挡层中产生的电场与阻挡层原来的电场方向相同,使得阻挡层内总的电场增强,阻挡层变宽。外加反向电压破坏了原来阻挡层内扩散和漂移

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。