半导体光电子学第2章 异质结课件.ppt

半导体光电子学第2章 异质结课件.ppt

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1、突变结:在交界面处,杂质浓度由NA(p型)突变为ND(n型),具有这种杂质分布的p-n结称为突变结。缓变结:杂质浓度从p区到n区是逐渐变化的,通常称为缓变结。突变结、缓变结:按照过度区空间电荷分布情况及厚度的不同,前者厚度只有几个晶格常数大小,而后者可达几个载流子扩散长度。p-n结的形成过程当本征半导体的两边分别掺杂不同类型的杂质时,由于浓度差的作用,n区的多数载流子电子和p区的多数载流子空穴分别向p区和n区扩散。这样在p区和n区的分界面附近,n区由于电子扩散到p区而留下不能移动的正离子,p区由于空穴扩散到n区而留下不能移动的负离子

2、。这些不能移动的正负离子在分界面附近形成一个电场E0,称为内置电场。内置电场的方向是从n区指向p区,阻碍着电子和空穴的扩散,它使n区的少数载流子空穴和p区的少数载流子电子分别向p区和n区作漂移运动,当扩散的载流子数等于漂移的载流子数时,达到了动态平衡。这时在分界面附近形成了稳定的正负离子区,即p-n结,也称为空间电荷区(spacechargeregion),或耗散区(depletionregion)。空间电荷空间电荷区在整个半导体中,在耗散区存在由正离子区指向负离子区的电场,这就使得耗散区出现电势的变化,形成p区和n区之间的电势差V

3、0。n区的电势大于p区的电势。因此,对空穴来说,n区的势能大于p区的势能,形成了一个势垒eV0,这使得空穴只能在p区,不能到达n区。对电子来说,p区的势能大于n区的势能,也形成了一个势垒eV0,使得电子只能在n区,不能到达p区。整个半导体的能带结构如图所示。这个能带图是以电子能量为参照的。内建电场电势差VD平衡P-N结的能带图N型、P型半导体的能带图,图中EFn和EFp分别表示N型和P型半导体的费米能级。EFn高于EFp表明两种半导体中的电子填充能带的水平不同。当两块半导体结合形成P-N结时,按照费米能级的意义(即电子在不同能态上的

4、填充水平),电子将从费米能级高的N区流向费米能级低的P区,空穴则从P区流向N区。因而EFn不断下移,而EFp不断上移,直至EFn=EFp。这时,P-N结中有统一的费米能级EF,P-N结处于平衡状态,其能带图如图所示。能带相对移动的原因是P-N结空间电荷区中存在内建电场的结果。由于整个半导体处于平衡状态,因此在半导体内各处的Fermi能级是一样的。可以看到,这时由于势垒的存在,电子和空穴也没有机会复合如果一个半导体的两端加一个电压,由于电场的作用,使得能带整体沿着电场方向倾斜。电子和空穴的势能也发生变化,电子势能逆着电场方向降低,而空

5、穴势能顺着电场方向降低。所以电子和空穴向两个相反方向移动。正向偏压势垒区内载流子浓度很小,电阻很大,势垒区外的P区和N区中载流子浓度很大,电阻很小,所以外加正向偏压基本降落在势垒区。一、非平衡状态下的pn结1、外加电压下,pn结势垒的变化及载流子的运动。P-N结加正向偏压V(即P区接电源正极,N区接负极)正向偏压在势垒区中产生了与内建电场方向相反的电场,因而减弱了势垒区中的电场强度,这就表明空间电荷相应减少。故势垒区的宽度也减小,同时势垒高度从qVD下降为q(VD-V)。势垒区电场减弱,破坏了载流子的扩散运动和漂移运动之间的平衡,削

6、弱了漂移运动,使扩散电流大于漂移电流。所以在加正向偏压时,产生了电子从N区向P区以及空穴从P区到N区的净扩散电流。由于pn结阻碍多数载流子的定向移动,因此从电路性质看,它是高阻区。如果在半导体两端有外加电压,那么电压基本上都施加在pn结上。现在在半导体加一个电压V,p区结电源正极,n区接负极,形成正向偏置。外加电压基本上都施加在pn结上,这也等于在pn上施加一个外加电场E。外加电场的方向与内置电场E0的方向相反,总电场E0-E比原来的电场小了。这削弱了电子和空穴的势垒,由原来的eV0变为e(V0-V)。同时空间电荷区宽度变窄,由原来

7、的w0变为w。这就使得n区的电子比较容易克服势垒而扩散到p区,同时p区的空穴也比较容易克服势垒而扩散到n区。这就使得电子和空穴有机会复合产生光子。当对半导体施加电压时,半导体处于非平衡状态。原则上讲,Fermi能级已无意义。但是,由于外加电压基本上施加在pn结上,p区和n区所受到的影响相对比较小,可以把它们看成处于局部平衡态,各自具有Fermi能级Efp和Efn。当半导体处于平衡状态时,Efp=Efn=Ef。当对半导体施加电压时,Efp和Efn不相等。可以证明,Efp-Efn=eV。不论是n型或p型半导体材料,若Fermi能级都处于

8、禁带中。——轻掺杂半导体。这时在外加电压作用下电子和空穴虽然也能复合产生光子,但是由于载流子浓度有限,形成不了粒子数反转和受激辐射。这种材料只能用于发光二极管。为了使半导体材料在外界作用下实现粒子数反转,必须对半导体进行重掺杂,使n型

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