苹果手机摄像头生产过程(中文)课件.ppt

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1、PCOBProcessProcessFlowChart(COB)PCB收入检查TapeMountD/IWaferCleaningOvenBake烘烤PlasmaLensHolder收入检查Lens+HolderAss’yAirBlowVisualInspection工程投入清晰度不良Lens交换HolderGapReworkWafer收入检查WaferTapeMount晶片保护膜粘贴WaferSaw晶片切割VisualInspection外观检查DieAttach压膜伏帖VisualInspection外

2、观检查OvenCure烘烤Wire-Bonding引线接合VisualInspectionHolderAttachholder组装HolderCurehodel矫正VisualInspection外挂检查PCBCuttingPCB剪切LensSealinglens密封Focus焦距测试影像检查(F/VI)外观检查QC审视Packing包装出货工程投入支架间隙修理WaferSawing&VisualInspection晶片切割和外观检查◆WaferSawing&VisualInspection-把Wafer

3、状态的ImageSensor（传感器外形）为了Unit（标准）化根据ScribeLineduanzai,洗洁工程-Saw前/后通过V/I进行中发生的Scratch（划伤）,异物,污染等确认工程阶段工程照片ProcessDetail1阶段Wafer检查Sawing前VisualInspection实施Wafer的污染,Scratch,Broken等检查Sawing前Wafer状态确认的工程2阶段TapeMount为了Sawing工程进行把wafer贴在WaferRing上使用的Tape有UV-Tape和半导

4、体Tape.3阶段SawingWafer状态Chip要用BladeCutting各各Chip折断的工程,Blade是用HubType和Hubless(Ring)Type分流.4阶段V/ISawing后VisualInspection实施Wafer污染,Scratch,Broken等检查，Sawing后Wafer状态确认的工程。◆CuttingTypeTypeCutting形态DetailStepCut剪切步棸第1旋转用厚的Blade使用,第2旋转薄的Blade使用,用厚的Blade先上部分的保护膜折断用薄

5、的Blade是Full-Cut方式.BevelCut斜角剪切第一旋转V字形态的Blade使用Chamfering后Chipping（碎片）抑制，使用第2旋转是Full-Cut的方式.◆Blade构造DieAttach/VisualInspection&OvenCure◆DieAttach(Bonding)-Cleaning完成后PCB上面Non-ConductiveEpoxy布置把Unit化的Die转换成Collet然后做PickUp跟BondingDiagram和同一进行Align做Mounting工程

6、工程阶段工程照片ProcessDetail1阶段DieAdhesive布置使用Epoxytool有Writing方式和Dotting方式.Epoxy试用期间及布置量管理需要2阶段DiePick-Up&Bonding从Wafer里面用Pick-Uptool把die分离的工程分离后Epoxy布置的PCB上面Bonding3阶段V/IBonding后DieTilt,Placement,Rotation等确认错误修改4阶段OvenCurePickUpItem工程照片DetailDiePlacementSensor

7、内PixelArea的Lenssensor内areapixel是lens脱离管理范围shading现象,，会상가림现状发生.上下/左右100umUnder管理DieRotationSensor内PixelArea中边角部分Lens超出画角Shading现象,折射现象等发生DieTilt通过DieEpoxy在epoxysensor的pixelarea从surfacepcb因高度不同Lens发生深度差烫伤的一方部分不要让高度的问题点发生如果Tilt大的情况下因Level差异跟Lens焦点距离差异发生所以Foc

8、us不良会出现。◆工程不良说明◆EpoxyTool&Pick-UpToolDieAttach/VisualInspection&OvenCureCheckPointDetailDieattach及EpoxyCure后Die和PCB粘胶里确认SPEC:2.5Kgf以上Epoxy状态及道袍量,硬化的条件下受到影响.-DieShearTesttoolPCBDIEWire-Bonding