用ISE对P沟VDMOS进行仿真设计.ppt

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1、用ISE对P沟VDMOS进行 仿真设计西安卫光科技有限公司2010.10.23引言功率VDMOS是新一代大功率半导体器件,主要优点是开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好,正在取代传统的双极型大功率半导体器件,市场需求量巨大,主要是N沟VDMOS。但在音响功放等应用方面需要N沟、P沟器件配对使用,因而P沟VDMOS也有一定的市场需求。本文主要介绍P沟VDMOS的设计。结构和主要参数(一)结构图1P沟VDMOS结构示意图结构和主要参数(二)主要参数:(1)最大漏极饱和电流最大漏极饱和电流由氧化层

2、厚度、沟道的宽长比等决定(2)阈值电压阈值电压由氧化层厚度、沟道表面浓度决定(3)耐压耐压由外延层厚度和杂质浓度决定结构和主要参数(二)主要参数:(4)导通电阻主要包括沟道电阻、JFET区电阻和外延电阻(5)漏端电压恒定时的跨导跨导由氧化层厚度和沟道的宽长比决定(6)栅电荷:与栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd有关P沟VDMOS的基本参数确定(一)基片的选择首先确定衬底的晶向、杂质类型、衬底的电阻率或浓度(浓度高会使衬底反扩散非常严重,影响器件耗尽层宽度;衬底浓度过低会加大器件衬底电阻所占比值)。其次在确定外

3、延层,外延层的电阻率是影响器件耐压与导通电阻的关键因素,电阻率ρ越大(掺杂浓度越小),则器件的击穿电压越大。然而,导通电阻R也相应增大,因此,在满足击穿要求的前提下,电阻率ρ越小(外延掺杂浓度越大)越好。P沟VDMOS的基本参数确定(二)器件尺寸的设计器件的单胞尺寸即器件的JFET宽度与元胞体区宽度之和。由于JFET宽度与元胞体区宽度直接影响电流密度和特征电阻,为了提高这两个参数指标,除了要使JFET宽度与元胞体区宽度保持最合适的比例关系,同时还要减少单胞面积。单胞面积受工艺条件的限制(三)ISE工艺仿真

4、P沟VDMOS器件采用多晶硅栅自对准技术制造。是在有源区形成后,生长栅氧、淀积多晶栅,用栅来做屏蔽,通过注入、退火等形成器件的源漏区。P沟VDMOS的基本参数确定工艺步骤(1)在<100>P+硅衬底上外延P-外延层;(2)热氧化形成场氧化层;(3)光刻栅区SiO2,热氧化形成薄栅氧化层;(4)CVD淀积多晶硅栅、多晶掺杂;(5)N-body注入及推进;(6)P+注入/退火,形成P+源区;(7)N+注入/退火;(8)CVD淀积栅/源隔离介质、光刻源极/栅极引线孔;(9)淀积正面铝电极,光刻源极/栅极图形、铝

5、硅合金;(10)CVD表面钝化、光刻键合点。器件模拟和电参数仿真结果由仿真确定器件的外延层厚度为11μm、电阻率为5.6Ω·cm,主要的结构参数为:多晶硅栅长12μm;多晶厚度500nm;Nbody区结深2.8μm,沟道宽度1.8μm,场氧厚8000Å,栅氧厚度600Å。器件模拟和电参数仿真结果电压仿真器件模拟和电参数仿真结果表1VDMOS器件仿真参数静态参数要求值仿真值测试条件BVDS-100V-124VVgs=0V,Id=1mARon200mΩ150mΩVgs=-10V,Id=-11AVth-2~-4

6、V2.4VVds=Vgs,Id=-250uA动态参数Td(on)35ns16nsVdd=-50VId=-18ARg=9.1ΩVgs=-10VTr85ns42nsTd(off)85ns57nsTf65ns34ns结论用ISE实现对P沟VDMOS器件结构和工艺流程的完整设计,能够帮助企业大大缩短设计生产周期,节约生产成本。谢谢!

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