Flash存储器在线编程课件.ppt

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1、第9章Flash存储器在线编程主要内容9.1Flash存储器概述9.2AW60的Flash存储器编程方法9.3AW60的Flash在线编程C语言实例9.4S08Flash存储器的保护特性和安全性9.1Flash存储器概述9.1.1Flash存储器的基本特点与编程模式Flash存储器的基本特点固有不挥发性易更新性成本低、密度高、可靠性好Flash存储器的编程模式从Flash存储器的基本特点可以看出，在单片机中，可以利用Flash存储器固化程序，一般情况下通过编程器来完成，Flash存储器工作于这种情况，叫监控模式(MonitorMode)或写入器模式，这与一般的EPROM

2、、OTP、EEPROM装入程序的含义相似。另一方面，由于Flash存储器具有电可擦除功能，因此，在程序运行过程中，有可能对Flash存储区的数据或程序进行更新，Flash存储器工作于这种情况，叫用户模式(UserMode)或在线编程模式9.1.2S08系列MCU的Flash存储器Freescale公司在Flash存储器技术相当成熟之后才推出了片内带有Flash存储器的8位MCU，在应用的方便性和可靠性等方面有其独到的特点：编程速度快且可靠性高S08系列MCU的片内Flash存储器的整体擦除时间可以控制在5ms以内，对单字节的编程（写入）时间也在40ns以内。片内Flas

3、h存储器的存储数据可以保持10年以上，可擦写次数均在1万次以上单一电源电压供电S08系列MCU通过在片内集成的电荷泵，可由单一工作电压在片内产生出编程电压，这样就实现了单一电源供电的在线编程电压，而不需要为Flash的编程增加额外的编程电压模块，同时也使S08系列MCU兼具了两种编程模式支持在线编程S08系列MCU的片内Flash存储器支持在线编程，允许MCU内部运行的程序去改写Flash存储器的内容，这样就可以代替外部电可擦除存储芯片，从而减少了外围部件，增加了嵌入式系统开发的方便性9.2AW60的Flash存储器编程方法9.2.1Flash存储器编程的基本概念Fla

4、sh编程的基本操作有两种：擦除（Erase）：将存储单元的内容由二进制的0变成1写入（Program）：将存储单元的内容由二进制的1变成0擦除操作包括整体擦除和页擦除。而写入操作是以字为单位进行的。在擦除及写入过程中一般需要高于电源的电压。Flash存储器在片内是以页(Page)和行(Row)为单位组织的，页的大小始终为行的两倍。对Flash存储器的擦除操作可以进行整体擦除也可以仅擦除某一起始地址开始的一页(512字节)9.2.2Flash存储器的编程寄存器Flash时钟分频寄存器FCDIV(FlashClockDividerRegister—FLCR)的地址是$182

5、0D7—DIVLD为分频设置状态标志位(DivisorLoadedStatusFlag)，DIVLD为只读位D6—PRDIV8为Flash预分频设置位(PrescaleFlashClockby8)D5～D0—DIV5～DIV0为Flash时钟分频器的分频因子。Flash的内部工作时钟fFCLK的计算方法如下：如果PRDIV8=0，fFCLK=fbus÷([DIV5:DIV0]+1)如果PRDIV8=1，fFCLK=fbus÷(8×[DIV5:DIV0]+1)在对Flash进行编程操作时，Flash的内部工作时钟必须降到150KHz～200KHz，擦/写操作的脉冲是Fla

6、sh的内部工作时钟的一个时钟周期，所以擦/写的时间相应地在6.7µs～5µs。下表出了对FCDIV寄存器设置不同的数值时对Flash擦写操作的影响Flash选项寄存器Flash选项寄存器(FlashOptionsRegister—FOPT和NVOPT)。MCU复位时，Flash中的非易失性的NVOPT值被赋给FOPT寄存器，FOPT可以读，但写操作是无效的。要改变FOPT寄存器的值，需要对Flash中NVOPT位擦除并重新写入新的数值。FOPT的地址是$1821D7—KEYEN为后门锁机构允许位(BackdoorKeyMechanismEnable)D6—FNORED为

7、矢量重定向禁止位(VectorRedirectionDisable)D1～D0位—SEC01～SEC00为安全状态码Flash配置寄存器FCNFG(FlashConfigureRegister—FCNFG)的地址是$1823D5—KEYACC为写访问钥匙允许位(EnableWritingofAccessKey)。KEYACC=1时，表示写BVBACKKEY($FFB0-$FFB7)被认为是进行密码比较；KEYACC=0时，表示写BVBACKKEY($FFB0-$FFB7)被解释为Flash擦写命令的开始Flash保护寄存器Flash保护寄