FPC工艺流程介绍分析课件.ppt

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1、FPC工艺流程介紹PCB流程介紹FPC一般工艺流程图开料Shearing钻孔Drilling黑影Shadow镀铜Cuplating贴干膜D/FlaminationLDI曝光LDIExposure显影/蚀刻/去膜D/E/S自动光学检测AOICVL假贴合CVLlayupCVL压合CVLlamination冲孔Holepunching丝印阻焊Silk-screenPSR曝光/显影/烘烤Exposure/Develop/Roast电镀镍金Ni/Auplating喷字符InkjetPrinter开短路测试O/Stesting贴补强板Ad

2、hereSTF外形冲切Outlinepunching外观检查Inspection包装Packing出货Shipment一、FPC材料简介1)FCCL(FlexibleCopperCladLaminate):在基底膜上塗附Epoxy(環氧樹脂)或Acrylic(丙烯酸)類粘接劑,製成覆銅箔層壓板(CCL/3L),或基底膜直接與銅箔結合製成覆銅箔層壓板(CCL/2L).PI(polyimide)AD(adhesive)Cu(copper)2Layer3Layersinglesingledoubledouble以下為3L與2L性能比

3、對:Comments:粘接劑型因粘接劑基本上是環氧樹脂或丙烯酸類樹脂,它們的耐熱性要比基底膜(PI)低,所以成了軟板耐熱設計的瓶頸.粘接層的厚度基本上與基底膜的厚度相同,這是影響整個印制板薄型化的重要因素.故不同型號基材的選取取決于客戶端不同的性能用途.(1)FCCL基底膜简介1.基底膜業界內基底膜主要是PI(聚銑亞胺),由於PI膜成本較高,故開發成本較低的PET(聚酯)薄膜材料,但由於PET耐熱性,阻燃性較差,因而限制其應用範圍.其它材料由於成本/性能不理想而fail.從結構來看,PI為芳香族酯類聚合物,分子式內存在苯環和銑

4、胺基,故具有親水且銑胺基由於鹼性很弱,與酸不能性成穩定的鹽,只能與強鹼的水溶液生成鹽,遇水即分解.OCOCOCOCnNORPI結構式以下為常見集中基底膜材質性能比較:Comments:如果在不需要耐高溫條件下使用,PET膜做為基底膜也是一種優異的薄膜,它的吸濕性和尺寸穩定性比PI膜要好,其無色透明也是PI膜無法達到的特性。但當溫度在60℃--80℃時,它的機械特性就會發生變化而降低,且由于PET的耐熱性,阻燃性能較差,因而限制了它的使用範圍.故業界目前基底膜仍是以PI為主力.(2)、FCCL铜箔简介銅箔用于軟板的銅箔和硬板所用

5、的有所不同,軟板需要彎折或長期的反復不停的進行彎曲。其銅箔有壓延銅箔和電解銅箔之分:項目壓延銅箔電解銅箔成本和厚度的關係越薄越高越厚越高耐彎曲性能高低SEM其他說明其長方向和寬度方向的機械性能,特別是彎曲性能有很大的差異,一般縱向耐彎曲性能優于橫向利用電鍍法制作的無粘接性銅箔層壓板不使用銅箔做原材料,而是通過電鍍直接基底膜上直接形成導體層業界內對銅箔的選取沒有特殊的需求,目前2種銅箔差異僅在耐彎曲性能及厚度成本上,故對銅箔的選取需綜合考量成本,銅厚及產品用途.二.Coverlay简介1.Coverlay一般覆蓋膜由基底層和粘接

6、劑組成,基底層同FCCL為PI或PET等;粘接劑同3L的FCCL為Acrylic或Epoxy.因粘接劑室溫時為半固化狀態,故粘接劑上貼上一層離型膜(紙).PICoverlay结构Adhesive離型膜Adhesive粘接劑:Acrylic丙烯酸和Epoxy環氧樹脂性能itemAcrylic丙烯酸Epoxy環氧樹脂流動性良一般填充性良一般機械性能一般良絕緣性一般良2、Coverlay储藏要求冷藏保管:置于5度以下的倉庫保存.因粘接劑于室溫下放置,加速粘接劑的固化,以致功效下降.除冷:將覆蓋膜連同聚乙烯密封袋一起取出至室溫放置4小

7、時,達室溫后房客使用.如溫差較大,表面會凝結水珠,且基材容易吸水.開窗口:一般採用沖模或機械鉆孔的方式做開口,為后續pad做open.Comments:業界內Coverlay還有另外2種:覆蓋層油墨和光致塗附層,但相比覆蓋膜,以上2種在耐彎曲性/密著性/成本等缺陷,妨礙其發展.另coverlay與FCCL的搭配基本原則以同材質為宜,故目前FCCL以PI為主,則與之匹配的Coverlay仍是以PI覆蓋膜為主力.三、鑽孔NCDrilling1)鑽孔NCDrilling:雙面板為使上、下線路導通,以鍍通孔方式,先鑽孔以利後續鍍銅。鑽

8、孔注意事項Ø砌板厚度(上砌板:0.5-0.8mm,下砌板:1.0-1.5mm),尺寸Ø疊板方向打Pin方向Ø疊板數量Ø鑽孔程式檔名、版別Ø鑽針壽命Ø對位孔須位於版內斷針檢查切片檢查孔斷針檢查孔四、黑孔/鍍銅BlackHole/CuPlating1)黑孔/鍍銅BlackHole

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