TFT-LCD ARRAY,CELL,MODULE工艺技术介绍课件.ppt

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1、TFT-LCD工艺技术概要SVA-NEC1主要内容一、TFT的基本构造二、4Mask与5Mask工艺对比三、ARRAY基板的工艺流程四、TN与SFT工艺对比五、其他2一、TFT的基本构造偏光板TFT基板TFT背光源偏光板液晶单像素（旋转）TFT部位侧视像素TNGATEG-SiNxa-Sin+a-SiDRAINSOURCEP-SiNxITO像素电极GLASS接触孔实际结构3一、TFT的基本构造GATEG-SiNxa-Sin+a-SiDRAINSOURCEP-SiNxITO像素电极GLASS接触孔G工程I工程

2、D工程C工程PI工程4[ＧＬＡＳＳ]成膜CVD・Sputter[膜]Lithography[Glass]（a)(b)(c)(d)曝光[Mask]Array工程显像Etching(e)剥离反复二、4Mask与5Mask工艺对比5二、4Mask与5Mask工艺对比1.节省时间：1462-1398=64min2.节省设备：1套InlinePR+曝光机6二、4Mask与5Mask工艺对比4Mask–D/I工程I-工艺I-DED-工艺D-WEDI-工艺D1-WEI-DEPR-DED2-WE曝光曝光曝光5Mask–D

3、工程和I工程CH-DECH-DE7三、ARRAY基板的工艺流程工艺名称工艺目的洗净清洁基板表面，防止成膜不良溅射（SPUTTER)成Al膜、Cr膜和ITO膜P-CVD成a-Si膜、n+a-Si膜和SiNx膜PR/曝光形成与MASK图案相一致的光刻胶图案湿刻（WE)刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜干刻（DE)刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜剥离去掉残余的光刻胶8洗净装料周转盒机械手传送装置UV药液喷淋刷洗高压喷射MS气刀传送装置机械手卸料9ＵＶ药液刷子高圧ＭＳＡ／ＫＰＤＡ排水Ｐ排水Ｐ纯水ＤＡ洗净功能洗净对象作用Ｕ

4、Ｖ药液刷洗高压喷射ＭＳ氧化分解溶解机械剥离机械剥离机械剥离有机物(浸润性改善)有机物微粒子(大径)微粒子(中径)微粒子(小径)ＵＶ/Ｏ３溶解接触压水压加速度cavitation洗净10SputterTFT中Sputter薄膜的种类和作用D-CrPI-ITOG1-AlNdG2-MoNb类型名称作用G配线MoNb/AlNd传递扫描信号D配线Cr传递数据信号像素电极ITO存储数据信号11Sputter设备整体图（SMD-1200）基板搬入（加热）/搬出（冷却）室（L1、L2）搬送室(Tr)成膜室（X1、X3）U

5、pperSlot-Load(Heating)UnderSlot-Unload(Cooling)SputterX1Type(1Target)S3X1Ｔｙｐｅ1sheetS4X3Type1sheetMax3sheetcassette120sheetcassette220sheetcassette320sheetcassette420sheetVacRob2sheetAtmRob2sheetTargetTargetL1-11sheetL1-21sheetL2-11sheetL2-21sheettargettar

6、getSputterX3Type(1~3Target)CassetteLoaderGlassSize1100×1300(mm)S1枚葉SputterULVACSMD-120012PECVDプロセスヒートトランスファーＬＬ／ＵＬローダー加热腔工艺腔装载台纳入(大气到真空)/送出腔(真空到大气)机械手注：S1所用设备加热装置放在工艺室中，且只有两个工艺室13PECVD除害装置（scrubber）ＭＦＣＭＦＣＭＦＣ汽缸cabinet气体BOX气体吹出电极（阴极）ヒーター等离子体Ｍ．ＢＯＸＰ控制ＲＦ电源下部电极（

7、阳极）压力计节流阀干泵气体供给流量控制ＲＦpower压力控制真空排气特气对应工艺腔体（电极部）14InlinePR旋转涂布单元（洗净、涂布、预烘等）搬送机械手加热盘冷却盘15InlinePR涂布前洗净HMDS处理涂布EBR处理预烘光刻胶和基板的密着性改善Ｎ２腔体加热盘OHH2O(CH3)3Si-N-Si(CH3)2IHO-Si(CH4)3+NH3↑基板端面的光刻胶除去→减少垃圾N２洗浄液排气光刻胶中的溶剂除去，烧成→改善膜厚均一性和密着性加热盘非接触方式→改善静电、背面污染、热应力等方面非接触式栓气泡发生

8、罐刷子超声波喷头背面正面疏水化旋转cup方式气流控制、膜厚改善16曝光横倍率台形Ｍｉｒｒｏｒ凸面Ｍｉｒｒｏｒ凹面ＭｉｒｒｏｒＸ非線形基板Ｓｃａｎ光源ＣＣＤ円弧状ＳｌｉｔＭａｓｋＦｌｙＥｙｅ弓なり補正17显影显影液回收清洗槽风刀干燥显影液显影槽基板倾斜，显像液流下基板全面喷纯水回收显影液纯水18湿刻WE①WE②循环水洗纯水洗干燥ＰＰ废液新液ＤＡＰ排水纯水排水ＤＡ19干刻机械手Ｓ/Ｒ－ＬＳ/Ｒ－Ｒ工艺腔－Ｃ工艺腔－Ｒ转移腔工艺腔ー