人教版化学选修三第三章第四节离子晶体说课材料.ppt

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1、离子晶体一、离子晶体1、定义：由阳离子和阴离子通过离子键结合而成的晶体。2、成键粒子：阴、阳离子3、相互作用力：离子键4、常见的离子晶体：强碱、活泼金属氧化物、大部分的盐类。离子晶体判断正误：1、离子晶体一定是离子化合物。2、含有离子的晶体一定是离子晶体。3、离子晶体中只含离子键。4、离子晶体中一定含金属阳离子。5、由金属元素与非金属元素组成的晶体一定是离子晶体。×√×××离子晶体①钠离子和氯离子的位置：钠离子：体心和棱中点；氯离子：面心和顶点，或者反之。6、晶胞类型：（1）氯化钠型晶胞NaCl的晶体结构：每个Na+

2、离子周围有6个Cl-离子Cl-配位数：6Na+配位数：6Cl-Na+每个Cl-离子周围有6个Na+离子NaCl晶体中阴、阳离子配位数：6离子晶体正八面体③与Na+等距离且最近的Na+、Cl-各有几个？计算方法：均摊法顶点占1/8；棱占1/4；面心占1/2；体心占1②每个晶胞含钠离子、氯离子的个数与Na+等距离且最近的Na+有：12个与Na+等距离且最近的Cl-有：6个（Na+配位数为6）与Cl-等距离且最近的Cl-有：12个与Cl-等距离且最近的Na+有：6个（Cl-配位数为6）Na+Cl-在氯化钠晶体中，假若钠离子

3、与周围最近的氯离子的距离为a，每个钠离子周围最近且等距离的氯离子有个，每个钠离子周围最近且等距离的钠离子有___个,最近的两个钠离子之间的距离为____。122aaab离子晶体6Na+Cl-Cl-Na+Cl-（2）CsCl的晶体结构：每个氯离子周围有8个铯离子每个铯离子周围有8个氯离子CsCl晶胞①铯离子和氯离子的位置：铯离子：体心氯离子：顶点；或者反之。②与铯离子等距离且最近的铯离子、氯离子各有几个？铯离子：6个；氯离子：8个③与氯离子等距离且最近的氯离子、铯离子各有几个？氯离子：6个；铯离子：8个(3)CaF2型

4、晶胞①Ca2+（绿球，占据顶点和面心）的配位数：②F-(蓝球，占据体内）的配位数：③一个CaF2晶胞中含：图示为CaF2晶胞的1/8,Ca844个Ca2+和8个F-④在1/8晶胞中钙离子占据4个顶点（四个顶点占异面面对角线）氟离子占体心，它们构成正四面体，键角109°28′这八个F离子围成正方体这4个钙离子成正四面体(4)ZnS型晶胞①阳离子的配位数：②阴离子的配位数：③一个ZnS晶胞中含：离子晶体Zn2+S2-444个阳离子和4个阴离子离子晶体阳离子的配位数阴离子的配位数NaClCsCl6688离子晶体离子的电荷数

5、之比=它们的配位数之比CaF284科学探究：你认为是什么因素决定了离子晶体中离子的配位数？根据表3—5、表3—6分析影响离子晶体中离子配位数的因素。配位数468半径比0.2~0.40.4~0.70.7~1.0空间构型ZnSNaClCsCl468半径比是影响配位数的重要因素（2）影响阴、阳离子的配位数的因素：6、离子晶体中离子键的配位数（C.N.）（1）定义：是指一个离子周围邻近的异电性离子的数目。①几何因素：晶体中正负离子的半径比（r+/r－）是决定离子晶体结构的重要因素。②电荷因素：晶体中正负离子的电荷比决定正负离

6、子配位数是否相等。③键性因素：离子晶体的结构类型还与离子键的纯粹程度（简称键性因素）有关。三、晶格能1、定义：气态离子形成1mol离子晶体释放的能量。如1mol气态钠离子和1mol气态氯离子结合生成1mol氯化钠晶体释放的能量为氯化钠晶体的晶格能。Na+（g）+Cl－（g）=NaCl（s） △H=-786kJ/mol如：①晶格能NaF>NaCl>NaBr>NaI②晶格能NaCl晶格能越大，形成的离子晶体越稳定，熔点越高，硬度越大。<3>晶格能的应用：晶格能高的晶体，熔点较高，更容易在岩浆冷却过程中先结晶

7、析出。2、规律：<1>晶格能的大小比较：离子电荷越多，阴、阳离子半径越小（即阴、阳离子间的距离越小），则晶格能越大。简言之,晶格能的大小与离子带电量成正比,与离子半径成反比.【总结归纳】物质的熔点与晶体类型的关系1、若晶体类型不同，一般情况下：原子晶体＞离子晶体＞分子晶体（金属晶体差别很大）。2、若晶体类型相同，则有：⑴离子晶体中，结构相似时，离子电荷越多，离子半径越小，晶格能越大，熔点就越高。⑵原子晶体中，结构相似时，原子半径越小，共价键键长越短，键能越大，熔点越高。⑶分子晶体中（不含氢键时），分子组成和结构相似时

8、，相对分子质量越大，分子间作用力就越强，熔点就越高。⑷金属晶体中，离子半径越小，离子电荷越高，金属键就越强，熔点就越高。合金的熔点比它的各成分金属的熔点低。练习1、下表列出了有关晶体的知识，其中错误的是（　）2、下列物质的晶体，按其熔点由低到高的排列顺序正确的是（　　）A．NａCｌ、SｉO2、CO2B．NａCｌ、CO2、SｉO2C．NａCｌ、M