串联式双层平流沉淀池的工艺设计.pdf

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1、第28卷第10期中国给水排水Vo1．28No．102012年5月CHINAWATER＆WASTEWATERMav2012串联式双层平流沉淀池的工艺设计常鹏飞，陈金荣，曹雪梅，温汝青，陈守庆(中国市政工程华北设计研究总院，天津300074)摘要：以大连市三道沟净水厂一期串联式双层平流沉淀池的工艺设计为例，介绍和分析了该池型的主要设计参数、进出口布置、上下层排泥布置、放空与采光等主要设计内容。该双层沉淀池运行后，进水量达到甚至超过了设计水量，出水水质稳定可靠，排泥设备运行良好，实现了节省占地优化设计的预期目的，能为

2、同行业相关设计提供借鉴和参考。关键词：双层平流沉淀池；沉淀；液压往复式刮泥机；底部泵吸刮吸泥机中图分类号：TU991文献标识码：C文章编号：1000—4602(2012)10—0059—04ProcessDesignofSeriesDoubleLayerHorizontalFlowSedimentationTankCHANGPeng—fei，CHENJin—rong，CAOXue—mei，WENRu—qing，CHENShou—qing(NorthChinaMunicipalEngineeringDesigna

3、ndResearchInstitute，Tianjin300074，China)Abstract：TheprocessdesignofseriesdoublelayerhorizontalflowsedimentationtankinSandao—gouWaterPlantinDalianCitywasintroducedandanalyzed，includingthemaindesignparameters，lay—outofinletandoutlet，arrangementofupperandlowers

4、ludgecollectors，emptying，lightingandSOon．Duringtheoperationofthesedimentationtank，theinflowquantitymetorevenexceededthedesignone，theoutflowqualitywasstableandreliable，andthesludgecollectorsoperatedwel1．Thelandsavingaimwasachievedtoprovidereferenceforsimilard

5、esigns．Keywords：doublelayerhorizontalflowsedimentationtank；sedimentation；hydraulicrecipro—caringscraper；bottomsuctionscraper沉淀池是给水处理的主要构筑物，不仅对保证于单个平流沉淀池上下折叠，实际上减少了平面布出水水质很重要，而且对净水厂平面布置的通盘考置的长度。大连市三道沟净水厂工程规模为60×虑也是一个重要的影响因素。平流沉淀池是净水厂10m／d，分三期建设，每期分别为20X10m／d，

6、普遍看好的最理想的沉淀池型，应用极为普遍，它的权衡占地、造价、运行管理等多种影响因素，最终选主要优点是对原水变化的适应性强，出水水质稳定，择了串联式双层平流沉淀池，属国内首例串联式池操作管理方便；主要缺点是占地面积大，因此当水厂型。目前，三道沟净水厂一期工程已建成投入运行，占地受到限制时，就会影响平流沉淀池的选用。二期工程正在建设中。现以此串联式双层平流沉淀平流沉淀池尤其适合于大、中型水厂，经济优势池工艺设计为例，对设计过程中的相关内容进行分更为明显，故如何扬长避短、减少占地并提高单位面析，以便为同行业相关设计

7、提供借鉴和参考。积制水能力，优化设计就显得尤为重要，据此设计出1工艺流程了多层沉淀池的池型。多层沉淀池按布置形式分为大连市三道沟净水厂工艺流程为：原水一稳压并联式和串联式，并联式布置相当于多个平流沉淀配水井一管道静态混合器一小孔眼网格反应池一双池上下重叠，实际上减少了平面布置的宽度，国内工层平流沉淀池一V型滤池一清水池一送水泵房一出程实例有唐山净水厂双层沉淀池。串联式布置相当水，其中反应池和沉淀池合建。一期工程规模为20·59·第28卷第1O期中国给水排水×10m／d，反应沉淀池共2座，平行布置。2．2进、出口

8、的布置2沉淀池的设计①进口布置2．1设计参数本工程反应池末端通过上孔出流至过渡区，通三道沟净水厂单座沉淀池设计图见图1。过过渡区后进入下层沉淀池。从反应沉淀池整体来看，水流在通过过渡区后发生了转折，造成沉淀池进水条件不太理想，为使沉淀池进水端配水均匀，设计采用三道整流设施，依次为过渡区网格、方形穿墙配水孑L、沉淀池进水端网格；为避免进水分配中造成絮粒破碎，三道整流设施的过流流速都控制在