高精密半导体引线框架及AMOLED蒸镀用高精度金属掩模板（一期）项目环评报告书.pdf

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1、建设项目环境影响报告表项目名称：高精密半导体引线框架及AMOLED蒸镀用高精度金属掩模板（一期）项目建设单位：安徽立德半导体材料有限公司编制单位：安徽长之源环境工程有限公司编制时间：2020年8月生态环境部制安徽立德半导体材料有限公司高精密半导体引线框架及AMOLED蒸镀用高精度金属掩模板（一期）项目环境影响报告表《建设项目环境影响报告表》编制说明《建设项目环境影响报告表》由具有从事环境影响评价工作资质的单位编制。1、项目名称-----指项目立项批复时的名称，应不超过30个字（两个英文字段作一个汉字）。2、建设地点-----指项目所在地详细地址，公路、铁路应填写

2、起止地点。3、行业类别-----按国标填写。4、总投资-----指项目投资总额。5、主要环境保护目标-----指项目周围一定范围内集中居民住宅区、学校、医院、保护文物、风景名胜区、水源地和生态敏感点等，应尽可能给出保护目标、性质、规模和距厂界距离等。6、结论与建议------给出本项目清洁生产、达标排放和总量控制的分析结论，确定污染防治措施的有效性，说明本项目对环境造成的影响，给出建设项目环境可行性的明确结论。同时提出减少环境影响的其它建议。7、预审意见-----由行业主管部门填写答复意见，无主管部门项目，可不填。8、审批意见-----由负责审批该项目的环境保护

3、行政主管部门批复。2安徽立德半导体材料有限公司高精密半导体引线框架及AMOLED蒸镀用高精度金属掩模板（一期）项目环境影响报告表目录1.建设项目基本情况.............................................................................................12.建设项目所在地自然环境社会环境简况.....................................................193.环境质量状况................................

4、...................................................................224.评价适用标准...................................................................................................305.建设项目工程分析...........................................................................................326.项

5、目主要污染物产生及预计排放情况...........................................................347.环境影响分析...................................................................................................368.建设项目营运期拟采取的防治措施及预期治理效果..................................879.结论与建议................................

6、.......................................................................893安徽立德半导体材料有限公司高精密半导体引线框架及AMOLED蒸镀用高精度金属掩模板（一期）项目环境影响报告表1.建设项目基本情况高精密半导体引线框架及AMOLED蒸镀用高精度金属掩模板（一期）项目名称项目建设单位安徽立德半导体材料有限公司法人代表高小平联系人朱俸廷通讯地址合肥市新站区新站工业物流园内A组团E区宿舍楼15栋邮政编联系电话*****传真/230001码安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内大禹路与综保一路东北

7、侧建设地点（117.341266°E，31.960960°N）项目代码立项审批部合肥新站高新技术产业开发区批准文号2020-340163-39-03-0203门经贸局32行业类别C398电子元件及电子建设性质√新建□改扩建□技术改造及代码专用材料制造占地面积绿化面积301136.32（亩）(平方米)环保投资总投资(万其中：环保投370002510占总投资6.78%元)资(万元)比例评价经费/预期投产日期2025年(元)工程内容及规模一、项目建设的由来集成电路产业是战略性、基础性和先导性产业，是培育战略性新兴产业、发展信息经济的重要支撑，在信息技术领域的核心地位十

8、分突出。其发达程度己成为