干刻工艺模式及原理.doc

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1、干刻工艺模式及原理1反应离子刻蚀。采用化学反应和物理离子轰击作用进行刻蚀的技术。RIE腔室的上电极接地，下电极连接射频电源，待刻蚀基板放置于下电极，当平面电极加高频电压后，反应物发生电离产生等离子体，等离子体在射频电场作用下，带负点的电子因质量较小首先到达基板表面，因为下基板连接隔直流电容器，所以不能形成电流从下基板流走。正离子在偏压作用下沿电场方向垂直轰击基板表面，粒子轰击加快表面化学反应及反应生成物的脱附，因而RIE模式有很高的刻蚀速率并可获得较好的各向异性侧壁图形但相对表面损伤较严重。2等离子刻蚀。将RF射频电源连

2、接于上电极，下电极接地。RF装于上电极，下电极接地使得表面电位为零，与电浆电位相差不多，并不能产生离子轰击效应，所造成表面损伤时，适合运用与电性能高度相关的膜层刻蚀。3电感耦合等离子体。ICP上电极是一螺旋感应线圈，连接功率为13.56MHZ的射频电源来产生等离子体，感应线圈将电场与磁场集中，等离子体中电子受磁力作用而做螺旋运动，电子的平均自由程增加可使之获得较高的加速电压，使有效碰撞频率增加，离子解离速率因此幅度增加。